Подвижность носителей заряда в электронных проводниках
Подвижность носителей заряда в электронных проводниках - отношение скорости направленного движения носителей заряда - электронов
проводимости и дырок (дрейфовой скорости vдр),
вызванного электрич. полем, к напряжённости Е этого поля:
Дрейфовая скорость и, следовательно, П.
н. з. ограничиваются процессами их рассеяния, к-рое происходит на дефектах
кристаллич. решётки (гл. обр. на примесных атомах), а также на тепловых
колебаниях
кристаллической решётки (испуская или поглощая фонон ,электрон
изменяет свой квазиимпульс, а следовательно и скорость vдр).
Поэтому П. н. з. зависит от температуры Т. С понижением Т доминирующим
становится рассеяние на заряж. дефектах, вероятность к-рого растёт с уменьшением
энергии носителей.
Ср. дрейфовая скорость
где т - эффективная масса носителей, е - их заряд,
- время релаксации импульса (транспортное время). Отсюда:
Проводимость кристалла
связана с П. н. з. соотношением
где п - концентрация носителей.
Понятие П. н. з. играет важную роль при описании свойств полупроводников или
др. проводников, в к-рых n зависит от Т, т. к. позволяет
разделить вклады в температурной зависимости
возникающие из изменения п с температурой, и температурной зависимости
вероятности рассеяния носителей заряда.
П. н. з. при Т - 300 К варьируется
в пределах от 105 до 10-3 см2/В х с. В
слабом электрнч. поле подвижность
> 0 как для электронов, так и для дырок, хотя направления их дрейфа противоположны.
У разных типов носителей в одном и том веществе
различны, а в анизотропных кристаллах
зависит от направления поля Е относительно кристаллографич. осей.
В сильных электрич. полях ср. энергия электронов
превышает равновесную и растёт с ростом поля Е. При этом
и, следовательно,
также начинают зависеть от поля Е (см. Горячие электроны).
Литература по подвижности носителей заряда в электронных проводниках
Блатт Ф. - Дж., Теория подвижности электронов в твердых телах, пер. с англ., М. - Л., 1963;
Гантмахер В. Ф., Левинсон И. Б., Рассеяние носителей тока в металлах и полупроводниках, М., 1984.
Знаете ли Вы, что cогласно релятивистской мифологии "гравитационное линзирование - это физическое явление, связанное с отклонением лучей света в поле тяжести. Гравитационные линзы обясняют образование кратных изображений одного и того же астрономического объекта (квазаров, галактик), когда на луч зрения от источника к наблюдателю попадает другая галактика или скопление галактик (собственно линза). В некоторых изображениях происходит усиление яркости оригинального источника." (Релятивисты приводят примеры искажения изображений галактик в качестве подтверждения ОТО - воздействия гравитации на свет) При этом они забывают, что поле действия эффекта ОТО - это малые углы вблизи поверхности звезд, где на самом деле этот эффект не наблюдается (затменные двойные). Разница в шкалах явлений реального искажения изображений галактик и мифического отклонения вблизи звезд - 1011 раз. Приведу аналогию. Можно говорить о воздействии поверхностного натяжения на форму капель, но нельзя серьезно говорить о силе поверхностного натяжения, как о причине океанских приливов. Эфирная физика находит ответ на наблюдаемое явление искажения изображений галактик. Это результат нагрева эфира вблизи галактик, изменения его плотности и, следовательно, изменения скорости света на галактических расстояниях вследствие преломления света в эфире различной плотности. Подтверждением термической природы искажения изображений галактик является прямая связь этого искажения с радиоизлучением пространства, то есть эфира в этом месте, смещение спектра CMB (космическое микроволновое излучение) в данном направлении в высокочастотную область. Подробнее читайте в FAQ по эфирной физике.