Брукса - Хтрринга формула - определяет время свободного пробега носителей заряда
в полупроводниках в условиях, когда рассеяние носителей происходит преимущественно
на ионизованных примесях (низкие температуры, высокие концентрации примесей).
Брукса - Хтрринга формула имеет вид:
где -
время свободного пробега носителя заряда с энергией ;
е - заряд электрона, -
диэлектрич. проницаемость,
m* - эффективная масса носителей, N - концентрация примесей,
, где , q - величина, обратная дебаевскому радиусу экранирования.
Из Брукса - Хтрринга формулы следует, что рассеяние на ионизованных примесях становится более эффективным
при малых энергиях носителей и, следовательно, при низких температурах.
Брукса - Хтрринга формула ф. получена в борновском приближении теории столкновений с учётом экранирования примесей свободными
носителями. При её выводе предполагается, что примеси расположены в кристаллич.
решётке беспорядочно (см. Рассеяние носителей заряда).
Э. M. Эпштейн