Диффузионная длина в полупроводнике - расстояние, на к-ром плоский диффузионный поток неравновесных
носителей заряда (в отсутствие электрич. поля) уменьшается в е раз. Д.
д. L имеет смысл ср. расстояния, на к-рое смещаются носители заряда в
полупроводнике вследствие диффузии за время
их жизни: , где
D - коэф. диффузии носителей заряда в полупроводниках.
Метод измерения Д. д. состоит
в генерации неравновесных носителей (обычно светом, путём проектирования ярко
освещённой щели на поверхность образца) и их регистрации на нек-ром расстоянии
r от места генерации. Коллектором неравновесных частиц может служить
электронно-дырочный переход или контакт металл-полупроводник. Изменяя r (расстояние
между световой щелью и коллектором) и сигнал, снимаемый с коллектора, можно
определить стационарное распределение концентраций неравновесных носителей.
Зная зависимость концентрации от отношения r/L, определяют L.
В нек-рых чистых полупроводниках,
напр. в Ge, Д. д. может достигать неск. мм.
Э. M. Эпштейн
Вещество и поле не есть что-то отдельное от эфира, также как и человеческое тело не есть что-то отдельное от атомов и молекул его составляющих. Оно и есть эти атомы и молекулы, собранные в определенном порядке. Также и вещество не есть что-то отдельное от элементарных частиц, а оно состоит из них как базовой материи. Также и элементарные частицы состоят из частиц эфира как базовой материи нижнего уровня. Таким образом, всё, что есть во вселенной - это есть эфир. Эфира 100%. Из него состоят элементарные частицы, а из них всё остальное. Подробнее читайте в FAQ по эфирной физике.