Захват носителей заряда в полупроводниках - переход электрона из зоны проводимости на примесный уровень в запрещённой зоне полупроводника
либо с примесного уровня в валентную зону (последний случай удобнее
рассматривать как переход дырки из валентной зоны на примесный уровень;
см. Зонная теория ).Скорость rэ 3. н. з. из зоны проводимости пропорциональна концентрации п носителей в зоне, концентрации Nt примесных уровней и вероятности того, что данный уровень с энергией Et не заполнен:
rэ = aэnNt [1-f(Et)].
Здесь f(Et) - вероятность заполнения данного уровня, aэ - коэф. захвата, связанный с эффективным сечением захвата S соотношением:
aэ = SvT,
где vT - ср. скорость теплового движения носителей заряда.
Наряду с процессом 3. н. з. происходит обратный процесс - их выброс с примесных уровней в зону. Скорость этого процесса равна:
gэ =bэNt f (Et).
Согласно детального равновесия принципу ,в состоянии термодинамич. равновесия gэ=rэ, откуда bэ=aэn1. где n1=(g0/gl)Ncexp(- I/kT), g0, gl - статистич. веса соответственно пустого и заполненного уровней, Nc - эффективная плотность состояний в зоне проводимости, I - энергия ионизации примесного уровня. Суммарная скорость захвата электронов равна:
Rэ = rэ- gэ = aэNt [п (1-f)-n1 f].
Аналогичные ф-лы имеют место для захвата дырок, характеризуемого соответствующими величинами rд, aд, gд, Rд.
Захват носителей заряда в полупроводниках может явиться первым этапом процесса рекомбинации носителей заряда
через примесные центры: захват электрона из зоны проводимости и
последующий захват дырки на тот же уровень (либо наоборот). Если для
данного уровня aэ>>aд, то электрон,
захваченный на этот уровень, прежде чем рекомбинировать с дыркой, может
быть много раз выброшен обратно в зону проводимости и захвачен снова.
Такие примесные уровни наз. уровнями прилипания или ловушками для
электронов; при aд>>aэ имеем уровни прилипания для дырок. Уровни, для к-рых aэ~aд, наз. уровнями рекомбинации. При захвате обоих носителей заряда на уровни прилипания с низким темпом выброса (малые bэ и bд) неравновесное состояние может сохраняться очень долго, особенно при низких температурах.
Э. М. Эпштейн
Вещество и поле не есть что-то отдельное от эфира, также как и человеческое тело не есть что-то отдельное от атомов и молекул его составляющих. Оно и есть эти атомы и молекулы, собранные в определенном порядке. Также и вещество не есть что-то отдельное от элементарных частиц, а оно состоит из них как базовой материи. Также и элементарные частицы состоят из частиц эфира как базовой материи нижнего уровня. Таким образом, всё, что есть во вселенной - это есть эфир. Эфира 100%. Из него состоят элементарные частицы, а из них всё остальное. Подробнее читайте в FAQ по эфирной физике.
|
|
 |
