Квазидвумерные соединения - кристаллы со слоистым
типом кристаллич. упаковки и соответственно сильной анизотропией
движения электронов. Внутри
плоскости слоев движения электронов часто близко к изотропному и в
электронной зонной картине отвечает движению по широкой зоне
проводимости, а в направлении, перпендикулярном слоям, ширина зоны
оказывается намного меньше. Для описания такого движения электронов
обычно используется модель эффективной массы внутри слоев и приближение сильной связи для движения электронов между слоями (см. Зонная теория, Блоховские электроны). Энергия электрона E в зависимости от квазиимпульса р имеет тогда вид E(р||, , где р|| - импульс вдоль слоев, р^ - импульс поперёк слоев, d - расстояние
между слоями,
- эфф. масса в плоскости слоя, d - полуширина зоны проводимости для движения между слоями.
Сильная анизотропия такого типа реализуется, напр., в слоистых кристаллах дихалькогенидов переходных металлов типа TaS2 (металлич. проводимость) или MoS2 (полупроводник), а также в их интеркалированных соединениях
I или интеркалированных соединениях графита. В дихалькогенидах
переходных металлов слой металла с двух сторон окружён слоями
халькогенов и связь этих трёх слоев в сэндвиче является сильной
(ковалентной). Сэндвичи упакованы в кристалле также слоями, причём
взаимодействие сэндвичей близко к ван-дер-ваальсовскому. В
интеркалированных соединениях металлич. слои раздвинуты ещё больше
непроводящими слоями молекул или групп атомов, введённых в пространство
между сэндвичами. К К. с. относятся также органич. проводники, где
плоские органич. молекулы упакованы в цепочки, к-рые, располагаясь
параллельно друг другу, образуют проводящие слои, разделённые
непроводящими слоями др. молекул, напр. в BEDT--TTF2I3 проводящие слои плоских молекул BEDT-TTF разделены слоями из атомов I [2].
Анизотропия проводимости s||/s^ достигает 50 в слоистых соединениях типа TaS2 и 105 в интеркалированном соединении TaS2 с пиридином.
По мере уменьшения d движение электронов приближается к двумерному, а ниже нек-рого порогового значения E0 для о система начинает вести себя как двумерная. Пороговое значение E0 совпадает с характерной энергией эффекта. Напр., если рассматривается Ванъе - Momma экситон в слоистом полупроводнике, то E0 - анергия связи экситона. При dдE0
мы имеем дело с трёхмерным анизотропным экситоном. Его уровни энергии
определяются ридберговской серией, а волновая функция анизотропна в меру
анизотропии
и
. При dЪE0
экситон локализован в слое и его спектр определяется решением
кулоновской задачи для двумерного движения электрона и дырки. В случае сверхпроводимости энергия E0 по порядку величины есть темп-pa сверхпроводящего перехода Tкр, и при dдTкр мы имеем дело с обычными анизотропными сверхпроводниками, а при dЪTкр
реализуется джозефсояовское взаимодействие слоев со всеми свойствами,
характерными для джозефсоновских переходов во внеш. полях [1]. Системы с
dЪE0 наз. квазидвумерными (в узком смысле) по отношению к
рассматриваемому эффекту. Т. о., система может быть обычной анизотропной
для одного явления и квазидвумерной для др. эффекта [2].
Л. Н. Булаевский
|
![]() |