Примесная проводимость - проводимость полупроводника, при к-рой осн. вклад в перенос заряда дают электроны (дырки),
термически возбуждённые в зону проводимости (валентную зону) из локализованных
в запрещённой зоне донорных (акцепторных) состояний (проводимость n-типа
и р-типа). П. п. определяется концентрацией донорных
и акцепторных
примесей и положением их уровней в запрещённой зоне. При высоких темп-pax Т, если полупроводник невырожден, концентрация ni носителей
в собственном полупроводнике (см. Собственная проводимость)удовлетворяет
условию
наличие примесей незначительно сказывается на концентрациях электронов n и дырок р:
При этом все примеси ионизованы, а уровень Ферми
близок к
середине запрещённой зоны. При более низких темп-pax, для к-рых
почти все мелкие примеси остаются еще ионизованными
(область истощения). В этом случае
т. е. концентрация осн. носителей не зависит от Т. При дальнейшем понижении
Тприближается
к уровню донорной
примеси, и заселённость донорных уровней будет расти за счёт поступления электронов
из зоны проводимости, а концентрация зонных носителей заряда соответственно
уменьшаться. При ТОК
концентрации зонных носителей убывают экспоненциально, в этом пределе доминирует
прыжковая проводимость.
Литература по примесной проводимости
Ансельм А. И., Введение в теорию полупровод, нпкоа, 2 изд., М., 1978;
Смит Р., Полупроводники, пер, с англ., 2 изд., М., 1982;
Бонч-Бруевич В. Л., Ка-лашников С. Г., Физика полупроводников, М. 1977
Знаете ли Вы, что релятивистское объяснение феномену CMB (космическому микроволновому излучению) придумал человек выдающейся фантазии Иосиф Шкловский (помните книжку миллионного тиража "Вселенная, жизнь, разум"?). Он выдвинул совершенно абсурдную идею, заключавшуюся в том, что это есть "реликтовое" излучение, оставшееся после "Большого Взрыва", то есть от момента "рождения" Вселенной. Хотя из простой логики следует, что Вселенная есть всё, а значит, у нее нет ни начала, ни конца... Подробнее читайте в FAQ по эфирной физике.
и акцепторных
примесей и положением их уровней в запрещённой зоне. При высоких темп-pax Т, если полупроводник невырожден, концентрация ni носителей
в собственном полупроводнике (см. Собственная проводимость)удовлетворяет
условию 
наличие примесей незначительно сказывается на концентрациях электронов n и дырок р:
близок к
середине запрещённой зоны. При более низких темп-pax, для к-рых 
почти все мелкие примеси остаются еще ионизованными
(область истощения). В этом случае
т. е. концентрация осн. носителей не зависит от Т. При дальнейшем понижении
Т
приближается
к уровню 
донорной
примеси, и заселённость донорных уровней будет расти за счёт поступления электронов
из зоны проводимости, а концентрация зонных носителей заряда соответственно
уменьшаться. При Т
ОК
концентрации зонных носителей убывают экспоненциально, в этом пределе доминирует
прыжковая проводимость.
