Шубникова - де Хааза эффект - осциллирующая зависимость электропроводности кристалла от магн. поля. Ш.- де X. э. наблюдается
в кристаллах, где электронный газ вырожден, в сильном магн. полепри
низких темп-pax
После открытия осцилляции электропроводности Л. В. Шубниковым и В. де Хаазом
(W. de Haas) в кристалле Bi квантовые осцилляции кинетич. коэффициентов наблюдались
во MH. металлах и вырожденных полупроводниках, напр. в InSb, GaSb, InAs (см.
Квантовые осцилляции).
Причиной возникновения осцилляции является квантование
орбитального движения носителей заряда в магн. поле. Если закон дисперсииносителей
заряда изотропен, то уровни энергии носителей
в магн. поле H даются выражением
где n = 0, 1,2, ..., рн - проекция импульса носителей заряда r на направление поля H,
т - эффективная масса носителей,-
циклотронная частота носителей. Осцилляции обусловлены периодически повторяющимися
изменениями плотности состояний электроновна
уровне Фермипри
прохождении последовательных уровней. Плотность состояний носителейдостигает
максимума вблизи значений
При увеличении H значениярастут
пропорционально H, поочерёдно достигая уровня Ферми
Величина
сама зависит от поля. В отсутствие поля (H= 0)
, где N - концентрация носителей заряда.
Если магн. поля не очень сильные, так что
то значение
мало и величину
можно считать постоянной. В случае
самый нижний уровень (п=0) уже пересёк уровень Ферми и осциллирующая
зависимость всех кинетич. коэф. от H сменяется монотонной зависимостью.
В слабых полях размытие уровней за счёт теплового движения
и конечного времени релаксации
приводит к уменьшению амплитуды осцилляции. Поэтому для наблюдения Ш.- де X.
э. необходимо выполнение условий
Эти неравенства показывают, что в невырожденных полупроводниках Ш.- де X. э.
наблюдаться не может.
Во многих практически важных случаях величина
осциллирующей добавки
к электропроводности
(при H = 0) даётся ф-лой
где
Множители передявляются
плавными, монотонными функциями H. При
условии
косинус даёт периодич. зависимость
от H -1 с периодом
В случае анизотропного закона дисперсии ф-ла
для периода осцилляции имеет вид
где S-площадь экстремального сечения фермы-поверхности плоскостью, перпендикулярной H.
Исследование Шубникова - де Хааза эффекта позволяет получить информацию об электронных свойствах металлов и вырожденных полупроводников. Измерение периода осцилляциидаёт величину концентрации носителей заряда, N при известном значении т. Значение т можно определить по температурной зависимости амплитуды осцилляции Ш.- де X. э. Зависимость амплитуды осцилляции от Я позволяет вычислить время релаксации носителей т. Учёт спина электрона приводит к более сложным зависимостям, в частности к расщеплению экстремумов осцилляции, что, в свою очередь, позволяет определить величину g-фактора носителей заряда.