Эластосопротивление - изменение уд. электросопротивления
на единицу деформации (см. Тензорезистив-ный эффект):
Здесь r-сопротивление в отсутствие деформации,-
изменение r при деформации,-безразмерный
тензор Э. 4-го ранга,-тензор
деформации 2-го ранга. Относит. изменение уд. сопротивления деформированного
кристалла в линейном по деформации приближении можно записать в виде
где -тензор
пьезосопротивления 4-го ранга, Xi -
тензор механич. напряжения 2-го ранга, связанный с тензором деформации(через
тензор модулей упругости Сik)соотношением
Компоненты тензора Э.
Так же, как и компоненты Пik, компонентыобразуют
шестимерную матрицу. На основании (3) для кристаллов кубич. симметрии связь
между коэф. пьезосопротивления и Э. имеет вид
Соотношения (5) позволяют определить коэф. Э.,
измеряя коэф. пьезосопротивления. Вместо упругих постоянных
можно пользоваться т. н. константами жёсткости
(приводимыми обычно в таблицах):
Если осн. минимумы энергии зоны проводимости
кристалла (см. Зонная теория)расположены на осях [100] (что имеет место
в h-Si), то
Если осн. минимумы находятся на осях [111] (n-Ge), то
П. И. Баранский.