к библиотеке к оглавлению FAQ по эфирной физике ТОЭЭ ТЭЦ ТПОИ ТИ

РЕАЛЬНАЯ ФИЗИКА

Глоссарий по физике

А Б В Г Д Е Ж З И К Л М Н О П Р С Т У Ф Х Ц Ч Ш Э Ю Я

Ганна диод

Ганна диод (по имени Дж. Б. Ганна, J. В. Gunn) - двухэлектродный полупроводниковый прибор без -перехода, в к-ром для генерации или усиления электромагн. колебаний используется Ганна эффект .Наиб. применение получили генераторы Ганна. Осн. элемент генератора, как правило, представляет собой диск (толщиной I~1,5-10 мкм и диаметром d~20-150 мкм), вырезанный из монокристаллов GaAs или InP. На противоположные стороны диска наносятся металлич. контакты. Г. д. служит активным элементом цепи СВЧ. Чаще всего такой цепью служит объемный резонатор. В зависимости от амплитуды и частоты колебаний поля в резонаторе генератор Ганна может работать в пяти режимах: пролётном, гашения, запаздывания, гибридном и в т. н. ОНОЗ-режиме (ограниченного накопления объёмного заряда). В первых трёх режимах период колебаний поля в резонаторе сравним с временем пролёта домена Ганна от катода до анода. В гибридном режиме период колебаний поля сравним с периодом формирования домена и, как правило, значительно меньше, чем пролётное время. В ОНОЗ-режиме период колебаний значительно меньше времени формирования домена Ганна.

Рабочие частоты генераторов Ганна ~10-120 ГГц, кпд ~ 2-10 %. Мощность, генерируемая в непрерывном режиме, ~ 200 мВт, в импульсном режиме порядка 200 Вт на частоте ~10 ГГц и ~5 Вт на частоте ~ 60 ГГц. Уровень шума выше, чем у генераторов на полевых транзисторах, но существенно ниже, чем у генераторов на лавинно-пролётных диодах.

Осн. применение генераторов на Г. д.- гетеродины радиолокац. приёмников, генераторы маломощных радиолокац. передатчиков, задающие генераторы в схемах умножения частоты. Логич. приборы на основе Г. д. перспективны вследствие малого времени срабатывания (~ 10 пс на ячейку), их применение ограничено относительно высоким уровнем потребляемой мощности.

Часто к Г. д. относят более широкий класс приборов, к-рые правильнее было бы называть приборами на междолинном электронном переходе (см. Многодолинные полупроводники ).В них используются свойства ие домена Ганна, а др. неустойчивостей, возникающих в полупроводниках в условиях объёмного отрицательного дифференциального сопротивления, напр., обогащённого слоя. С использованием таких неустойчивостей также созданы эффективные усилители СВЧ-диапазона, генераторы с частотой генерации до 200 ГГц, быстродействующие логич. ячейки.

Литература по диодам Ганна

Левинштейн M. E., Пожела Ю. К., Шур M. С., Эффект Ганна, M., 1975;
Bulman P. J., Hоbsоn G. S., Tауlоr В. С., Transferred electron devices, L.-N.Y., 1972;
Shaw M. P., Grubin H. L., Solomon P. R., The Gunn-Hilsum effect, N.Y.- [a.o.], 1979.

M. E. Левинштейн

к библиотеке к оглавлению FAQ по эфирной физике ТОЭЭ ТЭЦ ТПОИ ТИ

Знаете ли Вы, что низкочастотные электромагнитные волны частотой менее 100 КГц коренным образом отличаются от более высоких частот падением скорости электромагнитных волн пропорционально корню квадратному их частоты от 300 тысяч кмилометров в секунду при 100 кГц до примерно 7 тыс км/с при 50 Гц.

НОВОСТИ ФОРУМА

Рыцари теории эфира