Гистерезис сегнетоэлектрический - неоднозначная петлеобразная зависимость поляризации
сегнетоэлектриков от внеш. электрич. поля E при его циклич.
изменении. Сегнетоэлектрич. кристаллы обладают в определ. температурном интервале
спонтанной (самопроизвольной, т. е. возникающей в отсутствие внеш. электрич.
поля) электрич. поляризацией
Направление поляризации может быть изменено электрич. полем. При этом зависимость
в полярной фазе
неоднозначна, значение
при данном зависит
от предыстории, т.
е. от того, каким было электрич. поле в предшествующие моменты времени (рис.
1). Осн. параметры Г. с.- остаточная поляризация кристалла
при Е=0, значение поля Ек, при котором происходит переполяризация
(коэрцитивное поле), макс. поляризация ,
соответствующая полю Емакс. Для совершенных монокристаллов
петля Г. с. имеет форму, близкую к прямоугольной, и
близко к (рис.
1, а). В реальных кристаллах и сегнетоэлектрич. керамике петля имеет
иную форму, сильно
отличается от ,
процесс переполяризации затягивается на большой интервал значений E (рис.
1, б).
Рис. 1. Зависимость поляризации
от электрического
поля E для
сегнетоэлектрического кристалла в полярной фазе; а - идеальный
кристалл, б - реальный сегнетоэлектрик.
Существование Г. с. следует из феноменологич. теории сегнетоэлектрич. явлений, в соответствии с к-рой в сегнетоэлектрич. кристалле возможно фиксированное число равновесных состояний с определ. направлением . В идеальном кристалле в отсутствие электрич. поля состоянию равновесия соответствует однородная поляризация; реальный кристалл, как правило, разбивается на домены, в к-рых ориентация соответствует указанным направлениям. В одноосных сегнетоэлектриках возможны лишь два противоположных направления вдоль полярной оси. Равновесным значениям отвечают два симметричных минимума на зависимости термодинамич. потенциала от поляризации (сплошная кривая, рис. 2). При наложении поля К в равновесии реализуется состояние с поляризацией, отвечающей минимуму функции ; зависимость становится несимметричной (пунктир на рис. 2), и миним. значению соответствует то значение , к-рое совпадает по направлению с Е. Переполяризация происходит, когда перепад значений функции , соответствующих ее минимумам, становится достаточно заметным, а высота потенциального барьера, разделяющего состояния с противоположной ориентацией ,- достаточно малой. При циклич. изменении E переполяризация будет происходить с запаздыванием, обусловливая образование петли Г. с. В идеальном кристалле коэрцитивное поле должно соответствовать такому искажению потенциального рельефа (рис. 2), при к-ром один из минимумов практически исчезает и изменение направления происходит скачком, одновременно по всему объёму кристалла. В реальных кристаллах процесс переполяризации протекает путём зарождения и разрастания в объёме кристалла областей с "благоприятным" по отношению к полю направлением поляризации.
-
Рис. 2. Зависимость термодинамического
потенциала сегнетоэлектрического
кристалла от поляризации
при E=0 (жирная линия) и
(тонкие линии).
В сегнетоэлектриках с фазовым
переходом первого рода при темп-pax, несколько превышающих температуру фазового
перехода T0, в перем. полях формируются двойные петли Г. с.
(рис. 3). Петли такого рода связаны с поляризацией, индуцируемой полем E в нара-электрической (неполярной) фазе. При увеличении поля на участке OB (в параэлектрич. фазе вблизи Тс)зависимость
близка к линейной, как в обычных диэлектриках; при E=
в кристалле индуцируется спонтанная поляризация, к-рая исчезает при уменьшении
поля в точке Е-. Возможность формирования двойных петель Г. с. связана с особенностями зависимости
в параэлектрич.
фазе вблизи Тс (рис. 4). В параэлектрич. фазе, наряду с устойчивым
состоянием =0
при E=0, возможно появление при
боковых минимумов, соответствующих поляризованному состоянию. При увеличении
поля и достижении значения E=, достаточного для исчезновения минимума функциипри
=0, кристалл скачком
изменяет свою поляризацию от 0
до . При обратном
ходе скачок в устойчивое состояние О
происходит при поле E=, соответствующем исчезновению бокового минимума. При изменении знака E изменяется и знак индуцируемой полем поляризации; в перем. поле зависимость
имеет форму петли,
состоящей из 2 лепестков (рис. 3).
Рис. 3. Двойные петли гистерезиса
в сегнетоэлектриках.
Рис. 4. Зависимость Ф от
поляризации в неполярной фазе вблизи Тс при E =0, E=,
E =.
Для наблюдения петель Г.
с. обычно используются разл. модификации схемы Сойера - Тауэра (рис. 5).
Кристаллич. конденсатор
Ск, состоящий из пластины полярного среза сегнетоэлектрич. кристалла
с нанесёнными на него металлич. электродами, включается в мостовую схему [C0
- ёмкость (C0Ск),
r1 и r2 - сопротивления]. Горизонтальное
отклонение луча осциллографапропорционально электрич. напряжению, т. е. E. На вертик. пластины осциллографа подаётся напряжение
, где Q - заряд на каждой из последовательно соединённых ёмкостей Ск
и C0. T. к. Q=(S-площадь
электродов), то при циклическом изменении U на экране осциллографа наблюдается
зависимость Q(U)или в определ. масштабе .
Рис. 5. Схема для наблюдения петель гистерезиса.
Б. А. Струков