Дефекты упаковки - ошибки в порядке чередования плотноупакованных плоскостей кристалла. Атомные
структуры ряда кристаллов можно представить в виде плотных шаровых упаковок.
На рис. а представлен двумерный плотноупакованный слой шаров одинакового
размера; второй такой слой можно расположить над первым двояко: шары укладываются
в лунках типа В (упаковки типа AB)либо в лунках типа С (типа
AC; рис., б). Третий слой можно расположить либо так, чтобы центры
его шаров помещались над центрами шаров А, либо в лунках типа С. В
первом случае получим двухслойную упаковку ABAB..., во втором - трёхслойную
ABCABC... (4-й слой располагается
над 2-м либо над 1-м и т. д.). Первый тип упаковки реализуется в гексагональных
плотноупакованных (ГПУ) структурах (Mg, Zn,-Со),
второй - в кубич. металлах (Ag, Au, -Со)
с гранецентрир. решёткой (ГЦК), а также в полупроводниках (Ge, Si, GaAs, PbS
и т. д.).
Рис. а - плотнейшая упаковка шаров в плоском слое, А - центр шара; б - два плотноупакованных слоя шаров (AC).
В идеальных кристаллах
все плотноупакованные слои (плоскости) расположены в строгом порядке, образуя
периодич. последовательности. Однако в реальных кристаллах часто (особенно при
пластич. деформации, фазовых переходах или в процессе роста) возникают ошибки
в расположении слоев, напр. вместо последовательности ABCABC... может
образоватьея последовательность ABCBCABC...; здесь из периодич. структуры
удалена одна из плоскостей типа А, такой дефект наз. Д. у. вычитания.
Обратный случай, когда в последовательность плоскостей вставляется лишняя плоскость,
называется Д. у. внедрения
или двойным Д. у. (можно считать, что изъято две плоскости). В гексагональной
двухслойной упаковке простой Д. у. выглядит как
, двойной Д. у.- как
Д. у. могут образоваться в результате неоднородного распределения вакансий (Д. у. вычитания) либо межузелъных атомов (Д. у. внедрения). В этих
случаях Д. у. не выходят на боковую поверхность кристалла, а обрываются внутри
его. При этом края Д. у. образуют линейные дефекты ,наз. частичными дислокациями.
Д. у. вычитания может образоваться и при сдвиге одной части кристалла (напр.,
верхней) относительно нижней. Действительно, если все атомы (типа В)
верх. слоя (и всех вышележащих) сместятся в положение С, то вместо
последовательности ABCABC ABC... получим
(при перемещении слоя В в положение С расположенные на нём слои
также перемещаются: С - -А; А - - В). Для получения двойного Д. у. необходимо
произвести 2 последоват. сдвига:
Так образуются Д. у. в
процессе пластич. деформации и при фазовых превращениях.
При образовании Д. у. в
кристаллах как бы возникают области не свойственной им структуры. Так, в случае
Д. у. вычитания
в кубич. кристалле оказываются 4 слоя (BCBC), уложенных по закону гексагональной
упаковки. Это приводит к увеличению энергии кристалла на небольшую величину,
наз. энергиейД. у. Очевидно, что чем меньше энергия
Д. у., тем больше вероятность их образования (табл.).
Вещество |
Al |
Fe3Al |
Со |
Ni |
Cu |
Cu3Zn |
Ag |
Si |
Графит |
AlN |
||
эрг/см2 |
170 |
500 |
20 |
150 |
40 |
7 |
25 |
40-50 |
0,51 |
4 |
||
Д. у. тесно связаны с двойникованием кристалла. Так, если Д. у. образуются между каждой парой плоскостей в одной
из половин ГЦК-кристалла, то это эквивалентно образованию пары двойников с плоскостью
двойникования, проходящей, напр., по слою С:
. Простой Д. у. вычитания можно рассматривать как пару параллельных и
прилегающих плоскостей двойникования
, представляющих собой двойниковую прослойку мин. толщины. Д. у. дают на электронных
микрофотографиях характерный контраст в виде чётких прямолинейных полос (если
они нормальны к поверхности фольги) либо в виде светлых (Д. у. вычитания) или
тёмных (Д. у. внедрения) пятен.
С. А. Семилетов