Донорная примесь - примесь в полупроводнике, ионизация к-рой приводит к переходу электрона в зону проводимости или на уровень акцепторной примеси.
Типичный пример Д. п.- примеси элементов V группы (Р, As, Sb, Bi) в
элементарных полупроводниках IV группы - Ge и Si. В сложных
полупроводниках роль Д. п. могут играть атомы электроположит. элементов
(Сu, Zn, Cd, Hg и др.), избыточные по отношению к составу,
соответствующему стехиометрич. ф-ле полупроводника.
Введение Д. п. сообщает полупроводнику электронную проводимость,
поскольку ионизация Д. п. приводит к появлению электронов в зоне
проводимости, что описывается как переход электрона в зону проводимости с
донорного уровня, расположенного в запрещённой зоне. Д. п.
характеризуется энергией, необходимой для такого перехода (энергией
иони-зации Ei. Д. п. с энергией ионизации порядка тепловой энергии kT (мелкие примеси) описывается водородоподобной моделью. Учёт диэлектрич. свойств полупроводника (характеризуемых его диэлектрической проницаемостью e) и отличие эфф. массы т* электронов проводимости от массы свободных электронов m0 приводит к тому, что энергия ионизации Д. п. оказывается в e2m0/m* раз меньше энергии ионизации атома водорода (~10 эВ). При m*~0,l m0, e~10Ei ~10-3 Eат ~ 10 мэВ.
Литература по донорным примесям
Бонч-Бруевич В. Л., Калашников С. Г., Физика полупроводников, М., 1977.
Знаете ли Вы, что "гравитационное линзирование" якобы наблюдаемое вблизи далеких галактик (но не в масштабе звезд, где оно должно быть по формулам ОТО!), на самом деле является термическим линзированием, связанным с изменениями плотности эфира от нагрева мириадами звезд. Подробнее читайте в FAQ по эфирной физике.
