Индий (Indium), In, - хим. элемент III группы
периодич. системы элементов, ат. номер 49, ат. масса 114,82. В природе
представлен двумя изотопами: стабильным 113In (4,28%) и слабо b--радиоактивным 116In (95,72%, T1/2=5.1014 лет). Электронная конфигурация внеш. оболочки 5s2p. Энергии последоват. ионизации 5,786, 18,869 и 28,03 эВ. Кристаллохим. радиус In 0,166 нм, иона In3+
0,092 нм. Значение электроотрицательности 1,49.
В свободном виде - серебристо-белый мягкий металл. Кристаллич. решётка
тетрагональная с постоянными решётки а=0,4583 и с=0,4936 нм. Плоты. 7,31
кг/дм3, tпл=156,78°С, tкип=2024° С. Теплоёмкость Ср=26,7 Дж/(моль.К), теплота плавления 3,26 кДж/моль, теплота кипения 237,4 кДж/моль. Коэф. линейного расширения 33.10-6 К-1 (20°С), теплопроводность 87-80 Вт/(м.К) (при 250-400 К). Уд. сопротивление 0,0837 мкОм.м (0° С), температурный коэф. сопротивления 0,00490 К-1 (0-100° С), модуль упругости 10,5 ГПа. Тв. по Бринеллю 9 МПа, предел прочности
при растяжении 2,25 МПа, предел прочности при сжатии 2,15 МПа.
В хим. соединениях проявляет степень окисления +3, реже +1 и +2. На
воздухе при комнатной температуре устойчив, при нагревании окисляется.
Осн. область применения И. и его соединений (InSb, InAs и InP) -
полупроводниковые материалы. Так, InSb применяют в детекторах
ИК-излучения. InAs используют также в приборах для измерения
напряжённости магн. поля. Легирование микроколичествами И.
полупроводниковых Si и Ge применяют для создания дырочной проводимости и
р-n-переходов. Кроме того, И. используют как герметизирующий,
припойный и коррозионно-стойкий материал в электронной промышленности.
Индиевые покрытия обладают высокой отражат. способностью и могут
применяться для изготовления зеркал и рефлекторов.
Знаете ли Вы, что только в 1990-х доплеровские измерения радиотелескопами показали скорость Маринова для CMB (космического микроволнового излучения), которую он открыл в 1974. Естественно, о Маринове никто не хотел вспоминать. Подробнее читайте в FAQ по эфирной физике.
