Рекристаллизация - процесс образования и роста (или только роста) структурно более совершенных кристаллич. зёрен поликристалла за счёт менее совершенных зёрен той же фазы. Р. начинается при нек-рой температуре
Tр, к-рая зависит от хим. состава, концентрации дефектов,
в частности дислокаций. Далее с повышением температуры Т скорость
Р. растёт. Особенно интенсивно она протекает в пластически деформированных
материалах (см. Пластичность ).Зародышами новых зёрен являются дислокац.
ячейки.
Различают 3 стадии Р.: первичную, когда в деформи-ров.
материале образуются новые неискажённые зёрна, к-рые растут, поглощая зёрна,
искажённые деформацией; собирательную Р.- неискажённые зёрна растут за счёт
друг друга, вследствие чего ср. величина зерна увеличивается; вторичную Р.,
к-рая отличается от собирательной тем, что способностью к росту обладают только
немногие из неискажённых зёрен. В ходе вторичной Р. структура характеризуется
разл. размерами зёрен. Движению межзёренных границ препятствуют дисперсные
частицы (размером ~ нм) др. твёрдых фаз (оксидов, карбидов и т. д.) и субмикропоры.
Р. устраняет структурные дефекты, изменяет размеры
и ориентацию зёрен и иногда их кристаллография, ориентацию (текстуру). Р. переводит
вещество в состояние с большей термодинамич. устойчивостью: при собирательной
и вторичной Р.- за счёт уменьшения суммарной поверхности границ между зёрнами,
при первичной Р.- также за счёт уменьшения искажений, внесённых деформацией.
Р. изменяет все структурно-чувствит. свойства материала и часто восстанавливает
исходную структуру, текстуру и свойства (до деформации). Иногда структура и
текстура после Р. отличаются от исходных, соответственно отличаются и свойства.
Практически важными технол. способами обработки
материалов, в к-рых существ. роль играет Р., являются: прокатка, ковка, волочение,
экструзия, при к-рых образуются дислокации с плотностью 105-1013
см-2 и их скопления (ячеистая структура); дробление и спекание порошковых
(керамич.) материалов, при к-рых образуются субмикропоры; осаждение поликристаллич.
плёнок из газовой фазы или с помощью молекулярных пучков (см. Эпитаксия).
Литература по рекристаллизации
Горелик С. С., Рекристаллизация металлов и сплавов, 2 изд., М., 1978;
Рекристаллизация металлических материалов, под ред. Ф. Хесснера, пер. с англ., М., 1982;
Горелик С. С., Бабич Э. А., Летюк Л. М., Формирование микроструктуры и свойств ферритов в процессе рекристаллизации, М., 1984.
Знаете ли Вы, что cогласно релятивистской мифологии "гравитационное линзирование - это физическое явление, связанное с отклонением лучей света в поле тяжести. Гравитационные линзы обясняют образование кратных изображений одного и того же астрономического объекта (квазаров, галактик), когда на луч зрения от источника к наблюдателю попадает другая галактика или скопление галактик (собственно линза). В некоторых изображениях происходит усиление яркости оригинального источника." (Релятивисты приводят примеры искажения изображений галактик в качестве подтверждения ОТО - воздействия гравитации на свет) При этом они забывают, что поле действия эффекта ОТО - это малые углы вблизи поверхности звезд, где на самом деле этот эффект не наблюдается (затменные двойные). Разница в шкалах явлений реального искажения изображений галактик и мифического отклонения вблизи звезд - 1011 раз. Приведу аналогию. Можно говорить о воздействии поверхностного натяжения на форму капель, но нельзя серьезно говорить о силе поверхностного натяжения, как о причине океанских приливов. Эфирная физика находит ответ на наблюдаемое явление искажения изображений галактик. Это результат нагрева эфира вблизи галактик, изменения его плотности и, следовательно, изменения скорости света на галактических расстояниях вследствие преломления света в эфире различной плотности. Подтверждением термической природы искажения изображений галактик является прямая связь этого искажения с радиоизлучением пространства, то есть эфира в этом месте, смещение спектра CMB (космическое микроволновое излучение) в данном направлении в высокочастотную область. Подробнее читайте в FAQ по эфирной физике.