Термоэдс осцилляции - осцилляции коэф. термо-эдс как функции магн. поля (I/H)в вырожденных
полупроводниках при низких темп-pax в квантующих магн. полях.
В магн. полях движение
носителей заряда в плоскости, перпендикулярной H, квантуется и
спектр носителей распадается на ряд подзон, разделённых энергетич. интервалом
, где wс
= еН/тс - циклотронная частота (для изотропного параболич. закона дисперсии
носителей), т -эффективная масса, е - заряд носителей. Плотность
состояний (суммированная по всем подзонам) как функция энергии
носителей носит резко немонотонный характер, осциллируя при изменении поля H
с периодом (2p/h)wc и обращаясь в бесконечность у дна
каждой подзоны (на квантовом уровне). При изменении магн. поля квантовые уровни
перемещаются относительно уровня Ферми ,
к-рый последовательно пересекает разл. квантовые уровни, вызывая осцилляции величин,
зависящих от плотности состояний вблизи уровня Ферми, в т. ч. термоэдс .Для
наблюдения T. о. необходимо, чтобы тепловое размытие уровня Ферми и размытие
энергетич. спектра за счёт столкновений было меньше расстояния между квантовыми
уровнями: >kT, >
(т - время релаксации энергии), а хим. потенциал (уровень Ферми) был
достаточно велик:
Если H направлено
вдоль оси z, электрич. поле E и градиент температуры -вдоль
оси х, то в сильном магн. поле компонента тензора термоэдс aхх(H)определяется ф-лой
где s - плотность
энтропии носителей заряда, к-рая в квантующем магн. поле зависит от H;
n - концентрация носителей заряда. В вырожденных полупроводниках энтропия
s непосредственно связана с осциллирующей плотностью состояний вблизи
уровня Ферми .
T. о. используется в физ.
исследованиях для измерения эфф. массы носителей заряда, параметров сложной
зонной структуры и g-факторов. Преимущество T. о. перед Шуб-никова
- де Хааза эффектом состоит в том, что коэф. термоэдс значительно слабее,
чем электросопротивление, зависит от качества образца (неоднородностей вещества,
микротрещин и т. п.).
Литература по термоэдс осцилляции
Ансельм А. И., Введение в теорию полупроводников, 2 изд., M., 1978;
Зеегер К., Физика полупроводников, пер. с англ., M., 1977;
Аскеров Б. M., Электронные явления переноса в полупроводниках, M., 1985.
Знаете ли Вы, что, как и всякая идолопоклонническая религия, релятивизм представляет собой инструмент идеологического подчинения одних людей другим с помощью абсолютно бессовестной манипуляции их психикой для достижения интересов определенных групп людей, стоящих у руля этой воровской машины? Подробнее читайте в FAQ по эфирной физике.
, где wс
= еН/тс - циклотронная частота (для изотропного параболич. закона дисперсии
носителей), т -эффективная масса, е - заряд носителей. Плотность
состояний (суммированная по всем подзонам) как функция энергии 
носителей носит резко немонотонный характер, осциллируя при изменении поля H
с периодом (2p/h)wc и обращаясь в бесконечность у дна
каждой подзоны (на квантовом уровне). При изменении магн. поля квантовые уровни
перемещаются относительно уровня Ферми 
,
к-рый последовательно пересекает разл. квантовые уровни, вызывая осцилляции величин,
зависящих от плотности состояний вблизи уровня Ферми, в т. ч. термоэдс .Для
наблюдения T. о. необходимо, чтобы тепловое размытие уровня Ферми и размытие
энергетич. спектра за счёт столкновений было меньше расстояния между квантовыми
уровнями: 
>kT, 
>
(т - время релаксации энергии), а хим. потенциал (уровень Ферми) был
достаточно велик:
-вдоль
оси х, то в сильном магн. поле компонента тензора 
.
