Электроакустическое эхо (фононное, или поляризационное, эхо) - появление
дополнит. радиоимпульсов при воздействии на пьезоэлектрик двух или более
радиоимпульсов. Э. э.- нелинейный эффект, наблюдаемый в пьезоэлектрич. монокристаллах,
иногда в порошках пьезоэлектрич. кристаллов. Различают двухимпульсное и трёхимпульсное
Э. э.
Для наблюдения двухимпульсного
Э. э. исследуемый кристалл 2 (рис. 1) помещают в ёмкостный зазор СВЧ-резонатора
или между обкладками конденсатора 1, включённого в контур ВЧ-генератора
ЯМР-спектрометра 4. В момент времени t = 0 на образец подаётся
сигнал - радиоимпульс с частотой заполнения w, а через промежуток времени t
- второй импульс с частотой 2w. Эффект Э. э. состоит в появлении дополнит. сигнала
(отклика) с частотой w через время t после подачи второго импульса. Этот отклик
может быть задержан на любой, достаточно большой промежуток времени, не кратный
времени прохождения звуковой волны в кристалле.
Рис. 1. Схема наблюдения
электроакустического эха в пьезо-электрическом
кристалле, помещённом в электрическое поле: 1-
конденсатор; 2-кристалл; 3-акустические волны; 4- импульсный
ЯМР-спектрометр.
Рис. 2. Временное распределение
импульсов двухимпульсного
(а)и трёхимпульсного (б)электронного эха.
Механизм эффекта двухимпульсного
Э. э. состоит в следующем. Радиоимпульс в момент t = 0 (рис. 2, а)возбуждает с поверхности пьезокристалла УЗ-волны, к-рые распространяются
в глубь кристалла. Частота этих волн равна со, волновой вектор равен k,
а амплитуда зависит от анизотропии
пьезоэлектрич. свойств и упругости кристалла, его ориентации в электрич. поле
конденсатора, качества обработки поверхности и амплитуды возбудившего их электрич.
поля. Поле радиоимпульса с частотой 2w, подаваемого в момент времени t, взаимодействует
нелинейно с системой бегущих УЗ-волн. Это взаимодействие обусловлено нелинейностью
пьезоэффекта. Как видно из дисперсионной диаграммы (рис. 3, а), взаимодействие
прямой акустич. волны (w, k)и внеш. электрич. поля (2w, 0) приводит
к генерации обратной волны (w, - k). Поэтому второй импульс с частотой
2w в момент t меняет направление распространения всех акустич. волн на обратное,
а ещё через один промежуток времени t эти волны приходят в исходные точки, т.
е. на поверхность пьезоэлектрич. кристалла, причём в момент прихода все волны
вновь находятся в фазе. На поверхности кристалла происходит преобразование акустич.
волн (w, k)в электрич. сигнал с частотой w, к-рый и воспринимается как
отклик, т. е. сигнал Э. э. Амплитуда последнего зависит от эффективности преобразования
переменного поля в УЗ-колебания и обратно, от затухания УЗ-волн в кристалле,
а также от степени нелинейности. Форма импульса определяется анизотропией линейных
и нелинейных пьезоэлектрич. коэффициентов. При увеличении времени задержки t
амплитуда импульса Э. э. уменьшается, т. к. увеличивается время пробега ультразвукового
импульса и его затухание в кристалле. В принципе, величина т может быть значительно
больше времени пробега звука в кристалле в одном направлении, т. е. волна до
поворота её вторым импульсом может испытывать многократные отражения. Такой
эффект наблюдается в пьезоэлектрич. порошках. Понижение температуры снижает поглощение
УЗ-волн и, следовательно, увеличивает сигнал Э. э.
Рис. 3. Дисперсионные
диаграммы, поясняющие образование
двухимпульсного (а)и трёхимпульсного (б)электроакустического
эха.
Трёхимпульсное эхо наблюдается
примерно по такой же схеме, но в этом случае, помимо второго импульса в момент
t (рис. 2, б), на кристалл подаётся ещё третий импульс в момент Т с частотой 2w. При этом отклик наблюдается в момент Т+t, Временная
структура наблюдаемых в этом случае сигналов более сложна. При этом, как и раньше,
первый импульс возбуждает с поверхности пьезоэлектрика УЗ-волны, распространяющиеся
по всем направлениям в глубь кристалла. Второй импульс в момент t производит
две операции: возбуждает, как и первый, УЗ-волны и меняет на обратное направление
распространения акустич. волн, возбуждённых первым импульсом. Т. о., в кристалле
навстречу друг другу распространяются прямые и обратные волны, нелинейное взаимодействие
к-рых приводит к появлению в пространстве взаимодействия постоянной составляющей,
как это следует из дисперсионной диаграммы (рис. 3, б). При наличии в
кристалле примесей постоянная составляющая выводит их из состояния равновесия,
и т. о. в пространстве фиксируется информация о взаимодействии прямой и обратной
волн. Третий импульс в момент времени Т воздействует на неоднородные
в пространстве примесные состояния и возбуждает акустич. волну, к-рая от этих
примесей распространяется к поверхности кристалла, где благодаря пьезоэффекту
восстанавливается в виде электрич. сигнала. При этом время Т должно быть
меньше времени релаксации, в течение к-рого восстанавливается равновесное распределение
примесей, нарушенное
взаимодействием волн. При низких темп-pax время Т может достигать ~ 1
мес.
С физ. точки зрения эффекты двухимпульсного и трёх-импульсного эха подобны явлениям генерации обратной волны и акустич. памяти (см. Акустоэлектроника ).Однако детальная картина Э. э. значительно сложнее. Эксперименты по Э. э. проводят на частотах от неск. десятков МГц до неск. ГГц. В пьезоэлектрич. порошках сигнал отклика возрастает на резонансных частотах частиц порошка. Эффект Э. э. типичен для акустоэлектроники в том смысле, что преобразование электрич. сигналов осуществляется посредством акустич. волн. Он может найти применение в системе обработки радиосигналов.
В. Е. Лямов.