Электронная эмиссия - испускание электронов поверхностью конденсированной среды.
Ээлектронная эмиссия возникает в случаях, когда часть электронов тела приобретает в результате
внеш. воздействия энергию, достаточную для преодоления потенц. барьера на его
границе, или если внеш. электрич. поле делает его "прозрачным" для части электронов.
Электронная эмиссия наблюдается при нагревании тел (термоэлектронная эмиссия ),при
бомбардировке электронами (вторичная электронная эмиссия ),ионами (ионно-электронная
эмиссия)или эл--магн. излучением (фотоэлектронная эмиссия).
Для исследования электронной эмиссии необходимо создать у поверхности тела (эмиттера) электрич. поле Е,
ускоряющее электроны для удаления (отсасывания) электронов от поверхности эмиттера.
Если это поле достаточно велико (Е10*
В/см), оно уменьшает высоту потенц. барьера на границе, в результате чего Э.
э. возрастает (Шоттки эффект ).В очень сильных полях (E~107
В/см) потенц. барьер становится столь тонким, что возникает туннельное просачивание
электронов сквозь него (туннельная, или автоэлектронная эмиссия ).В результате
одноврем. воздействия двух или более факторов могут возникать тер-моавтоэлектронная,
фотоавтоэлектронная эмиссия и др. В очень сильных импульсных электрич. полях
(Е~5•107 В/см) автоэлектронная эмиссия приводит к быстрому
разрушению (взрыву) микроострий на поверхности эмиттера и к образованию плотной
плазмы. Взаимодействие плазмы с поверхностью эмиттера вызывает резкое увеличение
тока электронной эмиссии (взрывная электронная эмиссия).
Знаете ли Вы, что в 1965 году два американца Пензиас (эмигрант из Германии) и Вильсон заявили, что они открыли излучение космоса. Через несколько лет им дали Нобелевскую премию, как-будто никто не знал работ Э. Регенера, измерившего температуру космического пространства с помощью запуска болометра в стратосферу в 1933 г.? Подробнее читайте в FAQ по эфирной физике.
10*
В/см), оно уменьшает высоту потенц. барьера на границе, в результате чего Э.
э. возрастает (Шоттки эффект ).В очень сильных полях (E~107
В/см) потенц. барьер становится столь тонким, что возникает туннельное просачивание
электронов сквозь него (туннельная, или автоэлектронная эмиссия ).В результате
одноврем. воздействия двух или более факторов могут возникать тер-моавтоэлектронная,
фотоавтоэлектронная эмиссия и др. В очень сильных импульсных электрич. полях
(Е~5•107 В/см) автоэлектронная эмиссия приводит к быстрому
разрушению (взрыву) микроострий на поверхности эмиттера и к образованию плотной
плазмы. Взаимодействие плазмы с поверхностью эмиттера вызывает резкое увеличение
тока электронной эмиссии (взрывная электронная эмиссия).
