Эсаки эффект - излом вольт-амперной характеристики (ВАХ) проводника, помещённого в скрещенные элек-трич.
и магн. поля Е и Н, в сторону увеличения тока (насыщение
напряжения), когда приложенное электрич. поле превосходит нек-рое критич. значение.
Обнаружен Л. Эсаки (L. Esaki) в 1962. В сильном электрич. поле скорость дрейфа
носителей заряда поперёк внеш. электрич. и магн. полей uдр = сЕ/Н превышает скорость звукаs в том же направлении. Взаимодействие сверхзвуковых
носителей заряда с решёткой кристалла приводит к генерации фоно-нов, распространяющихся
в направлении дрейфа, к-рые, увлекая носители, создают акустоэлектрич. ток в
том же направлении (см. Акустоэлектронное взаимодействие, Акустоэлектрический
эффект). В магн. поле этот ток "поворачивается" на холловский
угол (см. Холла эффект)и складывается с омическим током. Это и приводит
к излому ВАХ при E=sH/c.
Эсаки эффект впервые наблюдался в Bi - полуметалле с биполярной проводимостью. Последнее существенно,
поскольку необходимым условием Э. э. является наличие дрейфа в холловском направлении
(т. е. в направлении, перпендикулярном Н и Е). Э.
э. наблюдался также в монополярном образце с короткозамкнутыми холловскими контактами
типа Корбино диска.
Литература по эффекту Эсаки
Esaki L., New phenomenon in magneto resistance of bismuth at low temperature, "Phys. Rev. Lett.", 1962, v. 8, p. 4;
Moore A. R., Current and voltage saturation in semiconducting gas, "Phys. Rev. Lett.", 1964, v. 12, p. 47;
Гуревич В. Л., Теория акустических свойств пьезоэлектрических полупроводников, "ФТП", 1968, т. 2, в. 11, с. 1557;
Пустовойт В. И., Взаимодействие электронных потоков с упругими волнами решетки, "УФН", 1969, т. 97, в. 2, с. 257;
Такер Дж., Рэмптон В., Гипррзвук в физике твердого тела, пер. с англ., М., 1975;
Гальперин Ю. М., Гуревич В. Л., Акустоэлектроника полупроводников и металлов, М., 1978.
