Эттингсхаузена эффект - возникновение поперечного градиента температуры
в проводнике с током, помещённом в магн. поле Н. Открыт в 1886
А. Эттингсхаузеном (A. Ettingshausen). В изотропном образце -
где j-плотность
электрич. тока; АЭ - коэф. Эттингсха-узена.
Эттингсхаузена эффект обусловлен разделением
траекторий носителей заряда (переносящих ток j) Лоренца силой. Сила,
действующая на носители заряда в магн. поле, в среднем компенсируется электрич.
полем Холла (см. Холла эффект ).Полная компенсация имеет место лишь для
носителей заряда, движущихся с нек-рой ср. скоростью; траектории более быстрых
(горячих) носителей заряда отклоняются к одной стороне образца, более медленных
(холодных) - к противоположной, что и приводит к возникновению градиента температуры
поперёк образца. Знак Э. э. не зависит от знака носителей.
В вырожденных полупроводниках ток переносят носители с энергиями, лежащими в слое шириной ~kT вблизи
энергии Ферми.
Коэф. АЭ при этом порядка kT/, т. е. мал. При смешанной проводимости возникает биполярный вклад в Э. э.,
связанный с совместным движением электронов и дырок, и АЭ сильно
возрастает (~/kT, где
- ширина запрещённой зоны). В случае низких температур коэф. АЭ содержит
вклад, связанный с эффектом увлечения электронов фононами, а в квантующих
магн. полях он должен испытывать квантовые осцилляции.
Эттингсхаузена эффект применяется в термоэлементах,
основанных на эффекте Пельтье и используемых для термоэлектрич. охлаждения:
приложение сильного магн. поля к термоэлементу из полупроводника с собств. проводимостью
(напр., сплава Bi-Sb) обеспечивает высокую эффективность охлаждения за счёт
большой величины АЭ.
Литература по эффекту Эттингсхаузена
Цидильковский И. М., Термомагнитные явления в полупроводниках, М., 1960;
Блатт Ф., Физика электронной проводимости в твердых телах, пер, с англ., М.. 1971;
Зеегер К., Физика полупроводников, пер, с англ., М., 1977;
Аскеров Б. М., Электронные явления переноса в полупроводниках, М., 1985;
Гуревич Ю. Г., Парадоксы теплопроводности в полупроводниках, "Природа", 1986, № 3, с. 66.
Знаете ли Вы, что релятивистское объяснение феномену CMB (космическому микроволновому излучению) придумал человек выдающейся фантазии Иосиф Шкловский (помните книжку миллионного тиража "Вселенная, жизнь, разум"?). Он выдвинул совершенно абсурдную идею, заключавшуюся в том, что это есть "реликтовое" излучение, оставшееся после "Большого Взрыва", то есть от момента "рождения" Вселенной. Хотя из простой логики следует, что Вселенная есть всё, а значит, у нее нет ни начала, ни конца... Подробнее читайте в FAQ по эфирной физике.
в проводнике с током, помещённом в магн. поле Н. Открыт в 1886
А. Эттингсхаузеном (A. Ettingshausen). В изотропном образце -
.
Коэф. АЭ при этом порядка kT/
, т. е. мал. При смешанной проводимости возникает биполярный вклад в Э. э.,
связанный с совместным движением электронов и дырок, и АЭ сильно
возрастает (~
/kT, где 
- ширина запрещённой зоны). В случае низких температур коэф. АЭ содержит
вклад, связанный с эффектом увлечения электронов фононами, а в квантующих
магн. полях он должен испытывать квантовые осцилляции.
