Генерационно-рекомбинационный шум - электрич. шум, вызванный случайными флуктуациями концентрации носителей заряда (электронов
проводимости и дырок) в полупроводнике (см. Флуктуации электрические ).Флуктуации
возникают из-за случайного характера генерации носителей и их рекомбинации (или
захвата на примесные центры). Флуктуации числа носителей в образце вызывают
флуктуации его сопротивления, к-рые проявляются в виде флуктуации напряжения
или тока при протекании нек-рого ср. тока I по образцу под действием
приложенного к нему напряжения V. В том случае, когда кинетика рекомбинац.
процессов в полупроводнике характеризуется одним временем жизни носителей 
,
спектральная плотность N
генерационно-рекомбинационный шум падает с ростом частоты f пропорц.
лоренцевской функции 
(рис.). В общем случае спектральная плотность
генерационно-рекомбинационному шума - сумма лоренцевских функций,
отвечающих разным временам жизни. В однородных омических полупроводниках спектральная
плотность генерационно-рекомбинационному шума пропорц. I2 или V2. В полупроводниковых
фотоэлектрич. приёмниках излучения (фотосопротивлениях)
генерационно-рекомбинационного шума - осн. помеха,
ограничивающая мин. детектир. мощность излучения. Измерение спектра генерационно-рекомбинационного шума - либо
высоты НЧ плато спектральной плотности, либо частоты, при к-рой спектральная
плотность падает вдвое по сравнению с НЧ значением,- позволяет определить
время жизни носителей в полупроводнике.
Знаете ли Вы, что "гравитационное линзирование" якобы наблюдаемое вблизи далеких галактик (но не в масштабе звезд, где оно должно быть по формулам ОТО!), на самом деле является
термическим линзированием, связанным с изменениями плотности эфира от нагрева мириадами звезд. Подробнее читайте в
FAQ по эфирной физике.
