Дрейф носителей заряда в полупроводниках - направленное движение носителей заряда в полупроводниках под действием внеш. полей, накладывающееся на их беспорядочное (тепловое) движение. Плотность тока, возникающего в результате Д. н. з. в электрич. поле E (дрейфового тока), равна j=sE, s=е(mэn+mдр), где s - уд. электропроводность, п и р - концентрации электронов проводимости и дырок, mэ, mд - их подвижности (см. Подвижность носителей). Полный ток проводимости в полупроводнике
слагается из дрейфового тока, диффузионного тока и термоэлектрич. тока,
обусловленного наличием градиента температуры. Д. н. з. может также
возникать в результате увлечения носителей УЗ-волной (см. Акустоэлектрический эффект)или эл--магн. волной
(радиоэлектрич. эффект, светоэлектрич. эффект).
В случае, когда дрейф в электрич. поле совершают неравновесные носители,
Д. н. з. осложняется возникновением объёмных зарядов, поле к-рых
необходимо учитывать наряду с внеш. полем, и рекомбинацией носителей заряда. В результате движение инжектир. неравновесных носителей (см. Инжекция носителей заряда)во внеш. электрич. поле описывается т. н. амбиполярной подвижностью:
в общем случае отличной от mэ и mд. При п=р (собств. полупроводник) mа=0, при n>>р (полупроводник n-типа) mа=mд, при n>>p (полупроводник р-типа) mа=-mэ, т. е. в примесных полупроводниках ma
совпадает с подвижностью неосновных носителей. Скорость движения пакета
неравновесных носителей во внеш. электрич. поле E равна maE.
Важной характеристикой Д. н. з. является длина дрейфа - ср. расстояние,
к-рое успевают пройти носители от места их генерации (см. Генерация носителей заряда в полупроводниках) до места рекомбинации. Длина дрейфа l=mEt, где t - время жизни неравновесных носителей. Измерение длины дрейфа производится тем же методом, что и измерение диффузионной длины.
В анизотропных кристаллах направление дрейфа может не совпадать с
направлением электрич. поля (подвижности - тензоры). В сильных полях
дрейф может быть анизотропным даже в изотропных (кубических)
многодолинных полупроводниках (см. Сасаки-Шибуйя эффект). Направление Д. н. з. не совпадает с направлением внеш. электрич. поля в присутствии поперечного магн. поля.
В сильном магн. поле Н (удовлетворяющем условию
(mH/с>>1), перпендикулярном внеш. электрич. полю E, Д. н. з.
происходит в направлении, перпендикулярном Е и Н, со скоростью v=cE/H, не зависящей от подвижности носителей. На этот дрейф накладывается движение носителей по окружности с циклотронной частотой w=еН/тс.
Литература по дрейфу носителей заряда в полупроводниках
Смит Р., Полупроводники, пер. с англ., 2 изд., М., 1982;
Бонч-БруевичВ. Л., Калашникове. Г., Физика полупроводников, М., 1977.
Знаете ли Вы, что в 1974 - 1980 годах профессор Стефан Маринов из г. Грац, Австрия, проделал серию экспериментов, в которых показал, что Земля движется по отношению к некоторой космической системе отсчета со скоростью 360±30 км/с, которая явно имеет какой-то абсолютный статус. Естественно, ему не давали нигде выступать и он вынужден был начать выпуск своего научного журнала "Deutsche Physik", где объяснял открытое им явление. Подробнее читайте в FAQ по эфирной физике.
