Дрейф носителей заряда в полупроводниках - направленное движение носителей заряда в полупроводниках под действием внеш. полей, накладывающееся на их беспорядочное (тепловое) движение. Плотность тока, возникающего в результате Д. н. з. в электрич. поле E (дрейфового тока), равна j=sE, s=е(mэn+mдр), где s - уд. электропроводность, п и р - концентрации электронов проводимости и дырок, mэ, mд - их подвижности (см. Подвижность носителей). Полный ток проводимости в полупроводнике
слагается из дрейфового тока, диффузионного тока и термоэлектрич. тока,
обусловленного наличием градиента температуры. Д. н. з. может также
возникать в результате увлечения носителей УЗ-волной (см. Акустоэлектрический эффект)или эл--магн. волной
(радиоэлектрич. эффект, светоэлектрич. эффект).
В случае, когда дрейф в электрич. поле совершают неравновесные носители,
Д. н. з. осложняется возникновением объёмных зарядов, поле к-рых
необходимо учитывать наряду с внеш. полем, и рекомбинацией носителей заряда. В результате движение инжектир. неравновесных носителей (см. Инжекция носителей заряда)во внеш. электрич. поле описывается т. н. амбиполярной подвижностью:
в общем случае отличной от mэ и mд. При п=р (собств. полупроводник) mа=0, при n>>р (полупроводник n-типа) mа=mд, при n>>p (полупроводник р-типа) mа=-mэ, т. е. в примесных полупроводниках ma
совпадает с подвижностью неосновных носителей. Скорость движения пакета
неравновесных носителей во внеш. электрич. поле E равна maE.
Важной характеристикой Д. н. з. является длина дрейфа - ср. расстояние,
к-рое успевают пройти носители от места их генерации (см. Генерация носителей заряда в полупроводниках) до места рекомбинации. Длина дрейфа l=mEt, где t - время жизни неравновесных носителей. Измерение длины дрейфа производится тем же методом, что и измерение диффузионной длины.
В анизотропных кристаллах направление дрейфа может не совпадать с
направлением электрич. поля (подвижности - тензоры). В сильных полях
дрейф может быть анизотропным даже в изотропных (кубических)
многодолинных полупроводниках (см. Сасаки-Шибуйя эффект). Направление Д. н. з. не совпадает с направлением внеш. электрич. поля в присутствии поперечного магн. поля.
В сильном магн. поле Н (удовлетворяющем условию
(mH/с>>1), перпендикулярном внеш. электрич. полю E, Д. н. з.
происходит в направлении, перпендикулярном Е и Н, со скоростью v=cE/H, не зависящей от подвижности носителей. На этот дрейф накладывается движение носителей по окружности с циклотронной частотой w=еН/тс.
Литература по дрейфу носителей заряда в полупроводниках
Смит Р., Полупроводники, пер. с англ., 2 изд., М., 1982;
Бонч-БруевичВ. Л., Калашникове. Г., Физика полупроводников, М., 1977.
Знаете ли Вы, что релятивистское объяснение феномену CMB (космическому микроволновому излучению) придумал человек выдающейся фантазии Иосиф Шкловский (помните книжку миллионного тиража "Вселенная, жизнь, разум"?). Он выдвинул совершенно абсурдную идею, заключавшуюся в том, что это есть "реликтовое" излучение, оставшееся после "Большого Взрыва", то есть от момента "рождения" Вселенной. Хотя из простой логики следует, что Вселенная есть всё, а значит, у нее нет ни начала, ни конца... Подробнее читайте в FAQ по эфирной физике.
