Кристаллофизика - область кристаллографии, изучающая связь физ. свойств кристаллов и др. анизотропных
материалов (жидких кристаллов, поликристаллич. агрегатов) с их симметрией, атомной
и реальной структурой и условиями получения, а также изменения свойств под влиянием
внеш. воздействий. К. использует симметрию кристаллов как метод изучения
закономерностей изменения свойств объектов, общие закономерности, установленные
физикой твёрдого тела и связывающие атомное строение и электронную структуру
со свойствами кристаллов.
При изучении мн. макроскопич.
свойств кристаллических и др. материалов их можно рассматривать как сплошные
однородные среды, характеризуемые своей точечной или предельной группой симметрии.
В то же время мн. свойства кристаллов определяются их кристаллич. структурой
(напр., оптич. спектры) или даже симметрией локального окружения исследуемого
фрагмента структуры (данные радиоспектроскопических методов).
Для количественного описания
анизотропных физ. свойств кристаллов в К. используется аппарат тензорного и
матричного исчислений. Различают два типа тензоров - материальные и полевые.
Полевые тензоры характеризуют поля внеш. воздействий (температуры, электрич. поля,
механич. напряжений и т. д.) и не связаны с симметрией исследуемой среды. С
помощью материальных тензоров описывают свойства анизотропной среды.
Симметрия макроскопич.
свойств кристалла определяется точечной группой его симметрии (G) и не
может быть ниже последней (Неймана принцип ).Иными словами, группа собств.
симметрии G* материального тензора, описывающего то или иное физ. свойство
такой среды (кристалла), включает элементы симметрии G, т. е. является
надгруппой
. Собств. симметрия тензоров часто описывается предельными группами точечной
симметрии. Нек-рые величины, характеризующие свойства кристаллов (плотность,
теплоёмкость), являются скалярными. Взаимосвязь между двумя векторными полями
(напр., между поляризацией Р и напряжённостью электрич. поля М, плотностью тока j и E)или псевдовекторными
величинами (напр., между магн. индукцией В и напряжённостью магн.
поля Н)описывается тензором 2-го ранга (тензоры диэлектрической
восприимчивости, электропроводности, магнитной
восприимчивости), в общем случае линейные и нелинейные связи между тензорными
полями - материальными тензорами 3-го, 4-го, 5-го и др. высших рангов (см. Пьезоэлектричество,
Электрострикция, Магнитострикция, Упругость, Фотоупругость). Для полной
характеристики свойств анизотропной среды необходимо определить независимо все
компоненты тензоров соответствующих рангов, а часто и зависимости каждой из
компонент от внеш. факторов. К. разрабатывает рациональные способы таких измерений,
к-рые, как правило, усложняются по мере понижения симметрии кристаллов (повышения
числа независимых компонент тензоров соответствующего ранга). Так, в К. широко
используется геом. представление об анизотропии физ. свойств (материальных тензоров)
в виде т. н. указат. поверхностей (рис. 1); радиус-вектор такой поверхности
характеризует величину рассматриваемого свойства в данном направлении. Симметрия
анизотропной среды определяет не только симметрию и число независимых компонент
тензоров, описывающих то или иное физ. свойство, но и ориентацию гл. осей указат.
поверхностей. Число отличных от нуля компонент тензора для среды с симметрией
G определяется методами теории представлений групп.
Рис. 1. Сечение указательной
поверхности вращения для угла поворота плоскости поляризации света (с длиной
волны =589,3
нм) в кристалле правого a-кварца, класс симметрии 32. Знак плюс означает правое
вращение вдоль главной оси х3.
В К. исследуются как эффекты,
характерные только для анизотропных сред (двойное лучепреломление и вращение
плоскости поляризации эл--магн. и акустич. воля, прямой и обратный пьезоэффекты
н др.), так и явления, наблюдаемые и в изотропных средах (электропроводность,
упругость и т. д.); в кристаллах эти явления приобретают особенности, обусловленные
их анизотропией. Так, напр., в наиб. симметричном кубич. кристалле в плоскости
(001) распространяются не две, как в изотропной среде, а три акустич. волны
(рис. 2, а)и скорости двух сдвиговых волн совпадают, когда упругие волны
распространяются вдоль осей 4-го порядка. Для того же кристалла в направлении
пространственной диагонали [111] (рис. 2, б)имеет место явление внутр.
конич. рефракции упругих волн.
Рис. 2. Главные сечения
указательной поверхности фазовых скоростей (в 105 см/с) упругих волн
в кубическом кристалле КВг, класс симметрии m3m: а - в плоскости
(100); б - в плоскости (110).
Задачей К. является также
исследование свойств кристалла при фазовых переходах. Кюри принцип позволяет
предсказать изменение точечной и пространственной групп симметрии кристаллов
при фазовых переходах (напр., в ферромагн. и сегнетоэлектрич. состояния; см.
Ферромагнетизм, Сегнетоэлектрики). При описании магнитных свойств кристаллов
и кристаллов с модулированными
структурами (см. Волны зарядовой плотности)в К. привлекается аппарат
обобщённых групп симметрии.
В К. изучается и влияние реальной: структуры на физ. свойства кристаллов. К дефектам структуры чувствительны мн. свойства кристаллов: электропроводность, механич., оптич. и др. свойства. Важнейшие задачи К.- установление зависимостей изменения физ. свойств кристаллов от их состава, строения и реальной структуры, а также поиск способов управления свойствами материалов и создание новых структур (текстур и композитных материалов) с оптим. сочетанием ряда свойств для практич. применения.
К. С. Александров