Магнитные поверхностные уровни - квантовые энергетич. уровни электронов проводимости,
движущихся в проводнике вблизи его поверхности под действием параллельного ей
постоянного магн. поля. Для возникновения М. п. у. необходимы: большая длина
свободного пробега электронов и большая вероятность их зеркального отражения
при столкновенип с поверхностью проводника. Выполнение этих условии достигается
при гелиевых температурах (4,2 К) в очень чистых монокристаллах проводников, имеющих
оптически гладкую поверхность.
Рис. 1, а - траектория электрона, "скачущего" внутри проводника по его поверхности под действием силы Лоренца, создаваемой магнитным полем; б - траектория "скачущего" электрона в импульсном пространстве; показано сечение поверхности Ферми плоскостью рисунка; О - опорная точка.
Квазиклассич. картина явления
состоит в следующем. М. п. у. возникают в проводнике для электронов, фермиевская
скорость
к-рых почти параллельна поверхности образца. В пространстве импульсов эти
электроны находятся
на ферми-поверхности в малой окрестности её т. н. опорной точки О, в к-рой точно
параллельна поверхности образца. Магн. поле, воздействуя на электроны этой группы
силой Лоренца, удерживает их у поверхности образца. В этих условиях электроны
движутся по дугам малой кривизны, возвращаясь к поверхности образца и зеркально
отражаясь от неё. Тем самым электроны совершают периодич. движение (электроны
"скачут" по поверхности, рис. 1, а), к-рое должно быть квантовано.
Разрешёнными оказываются орбиты, для к-рых магн. поток через сегмент, образуемый
дугой траектории и поверхностью образца, равен
где n=1, 2, ...,
е - элементарный заряд. В импульсном пространстве движению по скачущим
орбитам соответствует движение по замкнутой орбите на поверхности Ферми в малой
окрестности точки О (рис. 1, б), к-рое квантуется.
Квантовое рассмотрение
движения электронов приводит к выражению для значений магн. поля Япь
при к-рых имеют место максимумы резонансного поглощения эл--магн. поля частоты
:
Здесь п, k=1, 2,
3, ...;
; ; R
- радиус кривизны орбиты электронов в точке О.
Экспериментально существование
М. п. у. обнаруживается как осцилляции (с амплитудой 0,1%)
полного поверхностного сопротивления проводника (10-100
ГГц) в зависимости от магн. поля, изменяющегося в пределах 0,1-100 Э (рис. 2).
М. п. у. изучались на монокристаллах Sn, Bi, In, Cd, Al, Cu [1, 2]. Природа
осцилляции аналогична эффекту де Гааза - ван Альфена (см. Квантовые осцилляции в магнитном поле). Вычисленные по ф-ле (2) и по известным параметрам поверхности
Ферми Bi значения
точно совпадают с измеренными максимумами реактивного поверхностного сопротивления
образца Bi [3-5].
Ф-ла (2) верна для образцов
с плоской поверхностью; если же образец имеет цилиндрич. поверхность, то спектр
изменяется.
Наблюдается смещение и уширение линий спектра [6]. К изменению ширины и амплитуды
линий приводит также изменение состояния поверхности образца (полировка, травление
и др.).
Рис. 2, а - измеренные
осцилляции поверхностного сопротивления (реактивного X)образца Bi при
температуре 1,7 К на частоте 9,7 Ггц; б - рассчитанный спектр значений
поля
резонансного поглощения излучения электронами, находящимися на магнитных поверхностных
уровнях.
В образце сверхпроводника первого рода в магн. поле, меньшем критического, существует лишь один М.
п. у. нормальных электронов. Положение и ширина единств. линии поглощения определяется
характером проникновения магн. поля в поверхностный слой сверхпроводника [7].
Исследование М. п. у. даёт возможность измерять параметры поверхности Ферми, изучать распределение магн. поля в поверхностном слое проводника и характер взаимодействия электронов с его поверхностью.
М. С. Хайкин