Сверхинжекция - явление, возникающее при инжекции неосновных
носителей заряда в гетеропереходе ,заключающееся в превышении концентрации
неосновных носителей в материале, в к-рый происходит инжек-ция, по сравнению
с концентрацией носителей в эмиттере. С. электронов может наблюдаться при
инжекции из материала с меньшим сродством к электрону в материал с большим
сродством. Механизм С. иллюстрируется зонной картиной р - n-перехода
в системе GaAs - GaAlAs. На рис. 1 (а) изображена зонная схема гетероперехода
p-GaAs - n-GaAlAs в состоянии равновесия, на рис. 1 (б) - при приложении
напряжения в пропускном направлении. Изображены линии, отвечающие положению
краёв зон
и положению квазиуровней Ферми', и
- разрывы зон. Условия квазиравновесия отвечают постоянству квазиуровней
Ферми в слое пространственного заряда, поэтому если условия квазиравновесия
выполняются, то концентрация электронов в узкозонном GaAs оказывается больше,
чем в эмиттере из GaAlAs. Для невырожденных носителей заряда макс. величина
коэф. С.
(отношение концентрации инжектиров. носителей к их концентрации в эмиттере)
может быть оценена как.
В рамках диффузионной теории макс. значение
с учётом падения квазиуровня Ферми равно отношению диффузионной длины и
длины Дебая.
При инжекции в двойной гетероструктуре, в к-рой тонкий слой узкозонного
материала заключён между широкозонными эмиттерами (рис. 2), в выражении
для максимального
появляется дополнит. множитель L/d, где d - толщина узкозонного
слоя, в к-ром происходит рекомбинация. С. может наблюдаться и в плавных
гетеропереходах, в к-рых параметры материала непрерывно изменяются с координатой.
Гетеропереход может считаться резким, если изменение таких параметров,
как ширина запрещённой зоны, сродство к электрону на величину порядка kТ, происходит на расстояниях, меньших длины Дебая, в противном случае
в выражении для
дебаевская длина заменяется на характерную полевую длину, совпадающую с
расстоянием, на к-ром ширина запрещённой зоны меняется на величину kT. Поскольку, как правило, дебаевская длина много меньше диффузионной
длины, величина
может достигать в реальных гетеропереходах, как плавных, так и резких,
весьма больших значений. С. широко используется в гетеротранзисторах и
гетеролазерах .В гетеротранзисторах за счёт С. обеспечивается односторонняя
инжекция носителей в базу. В гетеролазерах С. позволяет использовать в
качестве эмиттеров относительно слаб» легированные слои с низкими оптич.
потерями, что способствует снижению порогового тока гетеролазера и повышению
дифференц. квантовой эффективности.
Рис. 1. Зонная схема гетероперехода p-GaAs,
а - в состоянии равновесия; б - при приложении напряжения в прямом направлении.
Рис. 2. Двойная гетероструктура в режиме сверхинженции.
В. Б. Халфин
Понятие же "физического вакуума" в релятивистской квантовой теории поля подразумевает, что во-первых, он не имеет физической природы, в нем лишь виртуальные частицы у которых нет физической системы отсчета, это "фантомы", во-вторых, "физический вакуум" - это наинизшее состояние поля, "нуль-точка", что противоречит реальным фактам, так как, на самом деле, вся энергия материи содержится в эфире и нет иной энергии и иного носителя полей и вещества кроме самого эфира.
В отличие от лукавого понятия "физический вакуум", как бы совместимого с релятивизмом, понятие "эфир" подразумевает наличие базового уровня всей физической материи, имеющего как собственную систему отсчета (обнаруживаемую экспериментально, например, через фоновое космичекое излучение, - тепловое излучение самого эфира), так и являющимся носителем 100% энергии вселенной, а не "нуль-точкой" или "остаточными", "нулевыми колебаниями пространства". Подробнее читайте в FAQ по эфирной физике.