Фоторезистор - полупроводниковый резистор, изменяющий своё электрич. сопротивление под действием внеш. эл--магн.
излучения. Ф. относятся к фотоэлектрич. приёмникам излучения, их принцип действия
основан на внутр. фотоэффекте в полупроводниках (см. Фотопроводимость ).Основу
Ф. составляет слой (или плёнка) полупроводникового материала на подложке (или
без неё) с нанесёнными на него электродами, посредством к-рых Ф. подключается
к электрич. цепи. Фоторезистивный слой получается, напр., прессованием порошка
или распылением водно-спиртовой суспензии полупроводникового материала непосредственно
на поверхности подложки, хим. осаждением, эпитаксией, напылением. Полученные
т.о. слои (плёнки) могут подвергаться отжигу. В зависимости от назначения Ф.
могут быть одно- и многоэлементные (мозаичные), с охлаждением и без, открытые
и герметизированные, выполненные в виде отд. изделия или в составе интегральных
схем. Для расширения функцией, возможностей Ф. дополняют фильтрами, линзами,
растрами (оптич. модуляторами), предварит. усилителями (в микроминиатюрном исполнении),
термостатами, подсветкой, системами охлаждения и др. (рис. 1).
Рис. 1. Охлаждаемый
фоторезистор: 1 - входное окно; 2
- фоточувствительный элемент; 3 - контактная колодка; 4 - предусилитель;
5 - теплоотвод: 6 - электрические выводы;
7-основание; 8-терморезистор; 9 - термоэлектрический
охладитель.
Основные параметры фоторезистора: темновое сопротивление (101-1014 Ом); спектральный
диапазон чувствительности (0,5-120 мкм); постоянная времени (10-2-
10-9 с); вольтовая чувствительность (103-106
В/Вт); обнаружительная способность (108 -1016 см•Гц1/2•Вт-1);
температурный коэф. чувствительности (0,1-5%/К); рабочее напряжение (0,1 -100
В).
Рис. 2. Кривые
спектральной чувствительности фоторезисторов на основе CdS (кривая I),
CdSe (2), PbS (3), твёрдого раствора PbS-PbSe (4,5), PbSe
(6), PbSn(Te) (7).
Ф. обладают избирательностью к внеш. излучению: так, Ф. на основе CdS и CdSe чувствительны к видимому, УФ-, рентг. и g-излучениям, а также к ближнему ИК-излучению; Ф. на основе PbS, PbSe, InSb, CdHgTe и PbSnSe -к ИК-излучению с длиной волны до 14 мкм (рис. 2), а на основе легированных Si и Ge - до 40 мкм. Высокая чувствительность, стабильность фотоэлектрич. характеристик во времени, малая инерционность, простота устройства, допускающая разнообразное конструктивно-технол. исполнение, способность работать в широком диапазоне механич. и климатич. воздействий обусловили широкое использование Ф. в приборах и устройствах оптоэлектроники .(См. также Полупроводниковые материалы. Полупроводниковые приборы.)
А. О. Олеск.
|
|
 |
