Фототранзистор - транзистор (обычно биполярный), в к-ром управление коллекторным током
осуществляется на основе внутр. фотоэффекта; служит для преобразования
световых сигналов в электрические с одноврем. усилением последних. Основу Ф.
составляет монокристалл полупроводника со структурой п-р-п- или р
- п-р-типа. Кристалл монтируется в защитный корпус с прозрачным входным
окном. Включение Ф. во внеш. электрич. цепь подобно включению биполярного транзистора,
выполненному по схеме с общим эмиттером и оборванным базовым выводом (нулевым
током базы). При попадании излучения на базу (или коллектор) в ней образуются
парные носители зарядов (электроны и дырки), к-рые разделяются электрич. полем
коллекторного перехода. В результате в базовой области накапливаются осн. носители
заряда, что приводит к снижению потенц. барьера эмиттерного перехода и увеличению
тока через Ф. по сравнению с током,
обусловленным переносом только тех носителей, к-рые
образовались непосредственно под действием света.
Основные параметры и
характеристики фототранзистора: и
н т е г р а л ь н а я ч у в с т в и т е л ь н о с т ь (отношение фототока к
падающему световому потоку); у Ф., изготовленных по диффузионной планарной технологии,
она достигает 10 А/лм; с п е к т р а л ь н а я х а р а к т е р и с т и к а (зависимость
чувствительности к монохроматич. излучению от длины волны этого излучения),
позволяющая, в частности, установить ДВ-границу применимости Ф.; эта граница
(в случае собств. поглощения зависящая прежде всего от ширины запрещённой зоны
полупроводникового материала) для германиевого Ф. составляет 1,7 мкм, кремниевого-1,1
мкм; п о с т о я н н а я в р е м е н и (характеризующая инерционность Ф.) не
превышает неск. мкс; темновой ток (ток через Ф. при отсутствии излучения) не
превышает десятков нА. Кроме того, Ф. характеризуется к о э ф ф иц и е н т о
м у с и л е н и я п е р в о н а ч а л ь н о г о т о к а, достигающим
102-103.
Высокие надёжность, чувствительность и временная стабильность параметров Ф., а также малые размеры и относит. простота конструкции позволяют широко использовать Ф. в системах контроля и автоматики в качестве датчиков освещённости и элементов гальванич. развязки. (См. также Транзистор биполярный, Полупроводниковые материалы.)
|
|
 |
