Электронный проектор (автоэлектронный микроскоп, полевой электронный микроскоп) - безлинзовый
электронно-оптический прибор для получения увеличенного в 105 -106
раз изображения поверхности твёрдого тела. Изобретён в 1936 Э. Мюллером (E.
W. MUller). Осн. части Э. п.: катод в виде проволочки (острия) с точечным
эмиттером на конце, радиус кривизны к-рого r~10-7 -10-8
м; стеклянная сферич. или конусообразная колба, дно к-рой покрыто слоем люминофора;
анод в виде проводящего слоя на стенках колбы или проволочного кольца, окружающего
катод. Из колбы откачивается воздух (остаточное давление 10-9-10-11
мм рт. ст.). (В др. варианте катод и анод могут быть собраны в вакуумной камере.)
Когда на анод подают положит. напряжение в неск. тыс. В относительно расположенного
в центре колбы катода, напряжённость электрич. поля F у поверхности кончика
острия достигает 107 -108 В/см. Это обеспечивает интенсивную
автоэлектронную эмиссию. При этом электроны эмитируются преим. с мест
локального увеличения F: над небольшими неровностями и выступами поверхности
эмиттера и с участков с пониженной работой выхода f.
Эмитированные электроны, ускоряясь в радиальных (относительно острия) направлениях, бомбардируют экран,
вызывая свечение люминофора, и создают на экране увеличенное контрастное изображение
поверхности катода, как правило, отражающее её кристаллич. структуру (рис. 2,
a к ст. Ионный проектор ).Контраст автоэлектронного изображения
определяется плотностью автоэмиссионного тока, к-рая зависит от локальной работы
выхода f, отражающей кристаллографич. строение поверхности эмиттера, и
от величины поля F у поверхности эмиттера. Увеличение в Э. п. равно отношению
R/ br, где R-расстояние катод - экран; b1,5
- константа, зависящая от геометрии трубки. Разрешающую способность Э. п. ограничивают
наличие тангенциальных составляющих скоростей автоэлектронов у кончика острия
и (в меньшей степени) явление дифракции электронов. Предел разрешения Э. п.
составляет (2-3) · 10-7 см.
Э. п. применяются для изучения
автоэлектронной эмиссии металлов и полупроводников, для определения работы выхода
с разных граней монокристалла и др., для наблюдения фазовых превращений, изучения
адсорбции и поверхностной диффузии атомов разл. веществ на проводящей поверхности,
для исследования эффектов в сильных полях и т. д. Э. п., при крайней простоте,
обеспечивает высокую разрешающую способность. В случаях, когда её необходимо
повысить до атомной, его легко перевести в режим ионного проектора.
Лит. см. при ст. Автоэлектронная эмиссия. В. H. Шредник.