Барьерная емкость. РЕАЛЬНАЯ ФИЗИКА. Глоссарий по физике

Барьерная емкость - электрическая ёмкость двойного слоя объёмного заряда в р-n -переходах и переходах металл - полупроводник (см. Шоттки барьер ).В р -n-переходах приграничные слои полупроводников обеднены основными носителями и, следовательно, заряжены: объёмная плотность заряда в каждом слое равна концентрации N легирующей примеси.

Электрическое поле объёмного заряда формирует энергетический барьер U. Внешнее напряжение V, приложенное к переходу, изменяет высоту барьера. При этом изменяется ширина заряженных слоев W (V) и их заряд

элементарный заряд, N(x) - распределение примеси в слое]. Tаким образом, барьерная емкость зависит от напряжения V и распределения примеси (на этом основаны ёмкостный метод определения распределения примеси в р-n-переходе и применение р - n-переходов в качестве управляемых ёмкостей - варакторов). В случае симметричного p-n-перехода с .N=const барьерная емкость определяется формулой

где S - площадь перехода,

- диэлектрическая проницаемость полупроводника. Для

Знаете ли Вы, что низкочастотные электромагнитные волны частотой менее 100 КГц коренным образом отличаются от более высоких частот падением скорости электромагнитных волн пропорционально корню квадратному их частоты от 300 тысяч кмилометров в секунду при 100 кГц до примерно 7 тыс км/с при 50 Гц.