Брэгговское отражение - схемы дифракции рентгеновских лучей, при к-рой падающий и дифракционный лучи лежат по одну сторону от поверхности кристалла (рис., а). В том случае, когда падающий и дифракционный лучи находятся по разные стороны кристаллич. пластины (рис., б), имеет место лауэвское прохождение. Если угол j между системой атомных плоскостей, находящихся в отражающем положении, и входной поверхностью кристалла равен нулю, то брэгговское отражение наз. симметричным, в остальных случаях - асимметричным. При имеет место симметричное лауэвское прохождение.
Брэгговское отражение и лауэвское прохождение являются простейшими фундам. задачами динамич. дифракции рентг. лучей, полностью выявляющими её осн. особенности. Введение в рассмотрение схем брэгговского отражения и лауэвского прохождения имеет смысл только для двухлучевой динамич. дифракции. При многолучевой дифракции одновременно имеются и отражённые и прошедшие дифракц. лучи, к-рые могут взаимодействовать, что не позволяет выделять какие-либо простейшие схемы. При кинематич. дифракции, когда обратным влиянием дифракц. луча на проходящий можно пренебречь, различие между брэгговским отражением и лауэвским прохождением исчезает.
Для брэгговского отражения и лауэвского прохождения резко
отличаются структура волнового поля внутри кристалла и коэффициенты отражения.
Каждой из этих схем присущи свои специфич. эффекты, связанные с разл. характером
обратной связи между дифракционной и проходящей волнами.
Схемы взаимного расположения
входной поверхности 1 кристаллической пластинки, системы атомных плоскостей
2, находящейся в отражающем положении, прошедшего 3, падающего
4 и дифракционного 5 лучей: а - для асимметричного брэгговского
отражения; б - для асимметричного лауэвского прохождения;
- угол Брэгга.
При брэгговском отражении дифракционная
и проходящая волны имеют противоположно направленные относительно оси z проекции
векторов потоков энергии (активная связь). В случае лауэвского прохождения эти
связанные волны имеют одинаково направленные вдоль оси z проекции потока энергии (пассивная
связь).
Непосредств. перехода брэгговского отражения в лауэвское прохождение и обратно, напр. за счёт изменения длины волны излучения, нет. Это
связано с тем, что при углах
(рис., а, б), попадающих в интервал
, где - критич.
угол полного внеш. отражения (см. Поляризуемость рентгеновская ),часть
интенсивности дифракц. луча испытывает полное внеш. отражение. При этом поле
в кристалле меняет свою структуру и исходная двухлучевая конфигурация превращается
в трёхлучевую (т. н. резко асимметричная дифракция). Аналогичная ситуация возникает
также при малых углах скольжения
падающего на кристалл луча.
Для электронов возможность реализации условий лауэвского прохождения и брэгговского отражения зависит от энергии частиц. В электронной
микроскопии при ускоряющих напряжениях ~105 В из-за малой величины
угла Брэгга обычно
имеют место лауэвское прохождение. Наблюдение брэгговского отражения возможно при анализе поверхностей твёрдых
тел методом дифракции медленных электронов с энергиями ~10-100 эВ.
А. В. Колпаков.