Дифракция рентгеновских лучей - возникновение отклонённых (дифрагированных) лучей
в результате интерференции упруго рассеянных электронами вещества вторичных
волн. Д. р. л. обусловлена пространственно упорядоченным расположением атомов
рассеивателя и большой величиной параметра пространственной дисперсии
5*10-21
(- длина
волны рентгеновского излучения, d - характерное межатомное расстояние
в веществе). Она является осн. методом исследования атомной структуры веществ
(см. Рентгеновский структурный анализ, Рентгенография материалов, Рентгеновская
топография, Рентгеновская спектроскопия) [1- 6].
Д. р. л. впервые наблюдалась
M. фон Лауэ (M. von Laue), B. Фридрихом (W. Friedrich) и П. Книппингом (P. Knipping)
(1912). Первая элементарная (т. н. кинематич.) теория Д. р. л. предложена Лауэ
в 1913; в том же году У. Л. Брэгг (W. L. Bragg) и Г. В. Вульф интерпретировали
Д. р. л. как интерференц. отражение излучения от системы параллельных атомных
плоскостей кристалла (см. Брэгга - Вульфа условие). В 1914 Ч.
Дарвин (Ch. Darwin) сформулировал основы динамич. теории Д. р. л., затем в 1917
П. Эвальд (P. Ewald) развил теорию самосогласованного взаимодействия точечных
диполей среды и поля излучения. В 1931 Лауэ изложил теорию Д. р. л. как электродинамич.
задачу распространения излучения в среде с непрерывной трёхмерной периодической
поляризуемостью
(см. Поляризуемость рентгеновская).
Наиб. ярко Д. р. л. выражена
в кристаллах, являющихся для рентгеновских лучей естеств. трёхмерными дифракционными
решётками. Дифракц. максимумы в них возникают в направлениях, в к-рых вторичные
(рассеянные атомами) волны распространяются с одинаковыми фазами. Для кристаллов
это условие фазировки требует удовлетворения одновременно трём условиям дифракции
на одномерных дифракц. решётках:
где а, b, с - периоды
решётки кристалла по трём её осям;
- углы, составляемые направлением распространения падающей, а
- рассеянной волнами с осями решётки кристалла; H, К и L - целые
числа, пропорциональные индексам кристаллографическим системы атомных
плоскостей, находящихся в отражающем положении. Ур-ния (1) (т. н. ур-ния Лауэ)
можно представить в виде условия Брэгга - Вульфа. T. к. углы
фиксированы, а не
независимы, то система (1) обычно имеет крайне мало целочисленных решений, т.
е. при рассеянии монохроматич. рентгеновского излучения на неподвижном кристалле
число дифракц. максимумов мало.
Рассеивающие свойства кристалла
зависят от его размера и строения. Рассеяние излучения идеальным мозаичным кристаллом
(см. Мозаичнисть кристаллов) и поликристаллом со ср. размером
зерна l10-5
см описывается кинематич. приближением теории Д. р. л. [1, 5]. В кинематич.
теории Д. р. л. предполагается, что интенсивность рассеянной кристаллич. блоком
волны мала по сравнению с интенсивностью первичного поля. Такое приближение
вполне допустимо для мн. кристаллов. Согласно классич. электродинамике, электрич.
поле Е0 падающей на кристалл волны излучения с частотой
и волновым вектором
k0 вызывает возникновение переменного дипольного момента атомов,
в результате чего каждый атом становится источником вторичной сферич. волны,
амплитуда к-рой определяется рассеивающей способностью атома, а фаза - его положением
в кристаллич. структуре. Амплитуда вектора напряжённости электрич. поля, рассеянного
одним атомом, равна:
где f(s)- атомный
фактор, в к-рый включён также и Дебая - Уоллера фактор;
- радиус-вектор положения j-го атома; m, п, p - целые
числа; - вектор
рассеяния, -
угол между векторами k0 и kS (угол рассеяния;
угол наз. углом
Брэгга); двойное векторное произведение определяет поляризац. зависимость ;
R - расстояние от точки рассеяния до точки наблюдения. Полная амплитуда
рассеянного поля
равна сумме по
всем N атомам
кристалла:
Относит. интенсивность
рассеянного в единичный телесный угол излучения равна:
где I0-
интенсивность первичного излучения,
- сечение рассеяния излучения электроном (е и т - его заряд и
масса, с - скорость света);
- поляризац. множитель. Для неполяризованного излучения -
сечение рассеяния атомом; экспоненты в (2) учитывают пространственные сдвиги
фаз между волнами, рассеянными j-м и k-м атомами. Для кристаллов
с неск. атомами в элементарной ячейке f(s) в (2) следует заменить
на структурный фактор F(s), тогда rj- радиус-вектор
положения j-й элементарной ячейки.
Для идеального кристалла
суммы в (2) являются геом. прогрессиями. Если кристалл имеет вид правильного
параллелепипеда, содержит N=NaNbNc элементарных
ячеек (Na,b,c - число периодов вдоль векторов элементарных
трансляций a, b и с), то суммирование (2) приводит к интерференц.
функции Лауэ:
,
макс. значения к-рой (т.
н. гл. дифракц. максимумы) равны (NaNbNс)2, т. е. ~ V2 (V - объём кристалла), при значениях
s, а, b, с, удовлетворяющих условиям, эквивалентным ур-ниям Лауэ
(1): ,
. Эти условия показывают, что вектор рассеяния s для дифракц. направления равен
вектору обратной решётки g, так что .
Угл. ширина дифракц. максимума в плоскости падения равна
, где Ng-число периодов решётки кристалла вдоль вектора g. Если, напр., Ng~104, то угл. ширина максимума
~10-4 рад. При увеличении объёма кристалла интенсивность гл. дифракц.
максимумов возрастает
~V2, а их ширины уменьшаются ~
(рис. 1).
Интегральная по углам рассеивающая
способность кристалла при прохождении им отражающего положения пропорциональна
его объёму V, т. е. относит. интегральная интенсивность
где - уд. рассеивающая способность кристалла; - длина волны излучения; Vэл - объём элементарной ячейки; значения константы К и фактора интегральности определяются схемой дифракции. Для кристалла с заметным поглощением в Q (g)нужно учитывать экстинкционное ослабление проходящего и рассеянного лучей в объёме кристалла. При Д. р. л. в мозаичном кристалле имеет место явление вторичной экстинкции.
Рис. 1. Одномерная интерференц
ионная функция Лауэ;
- угловая отстройка от точного угла Брэгга.
В случае кинематич. Д.
р. л. кристаллов с нарушениями периодичности строения, а также в аморфных телах,
стёклах и жидкостях интенсивность находят, усредняя (2) по всем возможным конфигурациям
атомов в пространстве, вероятность реализации к-рых задаётся функцией корреляции
[8, 9]:
Член ~N описывает
рассеяние излучения неупорядоченным скоплением, состоящим из N атомов.
Второй член - квадрат модуля фурье-образа формы кристалла - описывает Фраунгофера
дифракцию на рассеивателе в целом, к-рая приводит к очень слабому дифракц.
размытию прошедшего пучка излучения на угол
(где D - диаметр рассеивателя), заметному лишь при рассеянии на микроскопич.
и субмикроскопич. объектах (напр., биол. молекулах, для к-рых D10-5
см и 10-3
рад), что используется для исследования их формы (см. Малоугловое рассеяние). Третий член определяется корреляцией в пространственном расположении атомов
в рассеивателе и, следовательно, заключает в себе информацию о координатах атомов
в элементарной ячейке кристалла (см. Рентгеновский структурный анализ). Этот механизм близок к рассеянию света на флуктуациях параметров
среды. Нарушения периодичности строения кристаллов проявляются в уменьшении
интенсивности осн. дифракц. максимумов по сравнению с их интенсивностью для
идеального кристалла и появлению дополнит. фона, плавно зависящего от угла рассеяния
(см. Диффузное рассеяние рентгеновских лучей). Исследование диффузного
рассеяния позволяет установить характер искажений структуры кристалла [7].
Для некристаллич. объектов
функция обычно
изотропна, поэтому дифрагированная интенсивность аксиально
симметрична относительно первичного пучка. Дифракц. максимумы имеют вид колец,
интенсивность к-рых быстро
падает при возрастании угла .
В результате слабой корреляции в расположении атомов в пространстве эти кольца
имеют вид широких размытых гало, угл. положение к-рых зависит от ср. межатомных
(межмолекулярных) расстояний (рис. 2). Это позволяет найти функцию радиального
распределения зарядовой плотности среды
[9].
Рис. 2. Парная корреляционная функция Р(r) межатомных расстояний О...О в жидкой воде, полученная с помощью рентгеновского структурного анализа.
Кинематич. приближение
Д. р. л. представляет собой борновское приближение в решении ур-ния (5)
(см. ниже); причём связь между дискретным [на основе атомного
фактора f(g)] и континуальным [на основе поляризуемости
] описаниями взаимодействия кристалла с излучением устанавливается соотношением:
, где - фурье-компонента
разложения
в ряд по векторам обратной решётки .
Используя это соответствие, интегральную рассеивающую способность (3) можно
представить в виде:
Кинематич. приближение
становится неприменимым, если линейные размеры идеального кристалла l>10-5
см. Д. р. л. в этом случае описывается динамической теорией, согласно к-рой
удельная и интегральная отражающие способности идеального кристалла и структура
поля в его объёме полностью отличны от результатов кинематич. теории Д. р. л.
Динамич. теория Д. р. л.
основана на более полном решении волнового ур-ния для вектора электрич. смещения
[11] с учётом
обратного воздействия дифракц. луча на проходящий:
где правая часть представляет
вторичные поля, наведённые в кристалле внеш. возмущением. Осн. методами решения
(5) являются метод Фурье, к-рый приводит к понятию дисперсионной поверхности [1; 5], и метод медленно меняющихся амплитуд (ур-ний Такаги) [11].
Особенности динамич. Д.
р. л. проявляются уже в простейшем случав двух волн - проходящей (0) и дифракционной
(g). Наиб. важным случаем является дифракция плоской волны на кристаллич.
пластине (рис. 3).
Решение ур-ния (5) резко
различается для брэгговского отражения и лауэвского пропускания (см. Брагговское
отражение).
Брэгговское отражение. Его простейшим случаем является симметричное (=0)
отражение от полубесконечного центросимметричного непоглощающего кристалла.
Решение (5) для этого случая с соответствующими граничными условиями даёт след.
выражение для относит. интенсивности рассеяния на поверхности кристалла (z=0):
где -величина, пропорциональная угл. отстройке ; . Этот результат показывает, что в области углов
имеет место полное отражение
падающей волны (рис. 4). Угл. ширина этой области
~10-5 рад и определяется только диэлектрич. свойствами кристалла.
Вследствие преломления эта область сдвинута на угол ~
10-5 рад от точного угла Брэгга. В пределах этой области углов интенсивности
проходящего I0 и дифракц. Ig излучения внутри
кристалла экспоненциально падают с глубиной z: ,
где
атомных периодов. Это затухание имеет чисто интерференц. природу и наз. первичной
экстинкцией. Расстояние lext, на к-ром
убывает в е раз, наз. длиной первичной экстинкции. Интегральная рассеивающая
способность [в отличие от (4)] пропорциональна первой степени
и имеет иную поляризац. зависимость:
(коэф. а= 8/3).
Несмотря на существование
области полного отражения, динамич. интегральная интенсивность в неск. десятков
раз ниже кинематической (4) вследствие малой угловой ширины дифракц. максимума.
Рис. 4. Угловые зависимости
интенсивностей дифракционных максимумов в случае непоглощающего центросимметричного
кристалла. 1. Симметричное (=0)
брэгговское отражение от полубесконечного кристалла. Ширина области полного
отражения . Её
центр сдвинут из-за преломления на угол c0/sin2u 2. Симметричное
лауэвское прохождение.
Максимальная интенсивность равна 1/2. Форма максимума - лоренцовская, полуширина
равна . Максимум
расположен в точном угле Брэгга.
Рис. 3. Двухлучевая дифракция на кристаллической пластине: - угол между волновыми векторами проходящей k0 и дифракционной'' волн; - угол между x и атомной плоскостью (показана пунктиром) из находящегося в отражающем положении семейства атомных плоскостей; g - вектор дифракции (вектор обратной решетки).
Лауэвское пропускание. Относит. интенсивность рассеянной волны в симметрич. случае Лауэ
для непоглощающего кристалла
осциллирует с периодом
, к-рый определяется
длиной первичной экстинкции lext ; .
Дифракц. максимум расположен точно под углом Брэгга и имеет лоренцовскую
форму (рис. 4) с шириной .
Если излучение падает на кристалл под углом Брэгга ,
то изменяется
от 0 до 1 с периодом осцилляции ,
т. е. вся интенсивность поля периодически сосредоточивается в дифракц. волне.
Относит. интенсивность
осциллирует с тем же периодом, но с опережением по фазе на .
Поведение поля напоминает перекачку энергии при связанных колебаниях маятников
и наз. маятниковым решением. При нек-рой отстройке
от угла Брэгга
перекачка неполная, а при учёте поглощения она носит затухающий характер. Структура
поля такова, что дифракц. н проходящий лучи образуют единую самосогласованную
систему, так что разделение поля на прошедшую и дифрагированную волны происходит
не внутри кристалла, а на его выходной поверхности. Для толстых кристаллов имеет
место аномального пропускания эффект .Среднее по T значение интегральной
интенсивности рассеянного излучения также определяется выражением (6) при .
Брэгговское отражение и
лауэвское пропускание широко используются для монохроматизации и получения слабо
расходящихся
интенсивных пучков рентгеновских лучей. Изучение Д. р. л. в совершенных кристаллах
со слабыми искажениями позволяет получить информацию о типе и строении дефектов,
их плотности и распределении по объёму [8] (см. Рентгеновская топография).
В рамках динамич. теории
Д. р. л. решены задачи распространения рентг. излучения в совершенном кристалле
с пост. градиентом деформаций, нарушенным приповерхностным слоем, в модулированных
и многослойных кристаллах, что позволило решать обратные задачи восстановления
строения кристаллов с одномерным полем искажений по данным Д. р. л. В целом
решены задачи дифракции коллимированных и сферич. волн; рассмотрены нек-рые
многолучевые задачи, а также случаи резко асимметричной дифракции, когда наряду
с дифракцией имеет место полное внеш. отражение. Детальное понимание интерференционной
структуры поля излучения в кристалле при динамич. Д. р. л. позволило создать
новые дифракц. методы исследования строения тонких приповерхностных слоев монокристаллов
[9].
При внеш. возбуждении или
неупругих процессах рассеяния рентг. лучей атомы кристалла могут стать источниками
вторичного излучения, некогерентного с падающим. При распространении этого излучения
в кристалле наблюдаются специфич. дифракц. явления - т. н. линии Косселя [1].
Дифракция гамма-лучей,
нейтронов, электронов описывается в основном теми же закономерностями, что и
Д. р. л., однако для каждого типа излучения имеются специфич. особенности, определяемые
величиной взаимодействия и длиной волны излучения (см. Дифракция частиц,
Дифракция электронов, Дифракция нейтронов). Динамич. дифракция может
наблюдаться и в оптич. диапазоне, напр. при распространении света в холестерических
[10] и коллоидных жидких кристаллах.
А. В. Колпаков