Кремний (Silicium). РЕАЛЬНАЯ ФИЗИКА. Глоссарий по физике

Кремний (Silicium), Si, хим. элемент IV группы периодич. системы элементов, ат. номер 14, ат. масса 28.0855, относится к неметаллам. Природный К. состоит из стабильных изотопов ²⁸Si (92,23%), ²⁹Si (4,67%) и ³⁰Si (3,10%). Конфигурация внеш. электронной оболочки 3s²p². Энергии последоват. ионизации 8,151, 16,342, 33,530, 45,141 эВ. Энергия сродства к электрону 1,8 эВ. Кристаллохим. радиус атома К. 0,134 нм, радиус иона Si⁴⁺ 0, 039 нм. Значение электроотрицательности 1,74.

В свободном виде К. тёмно-серое кристаллич. вещество, с кубич. гранецентрированной кристаллич. решёткой типа алмаза, параметр к-рой а=0,54304 нм. Известен также коричневый (т. н. аморфный) К., отличающийся от кристаллич. К. лишь высокой дисперсностью и повторяющий в ближнем порядке структуру типа алмаза. При давлениях 12-15 ГПа получен "металлич." К., переходящий при температуре ниже 6,7 К в сверхпроводящее состояние. Плотность кристаллич. К. 2,328 кг/дм³, t_пл==1415°С, t_кип ок. 3250 °С. Теплоёмкость c_р = 20,1 Дж/моль*К, теплота плавления 49,8 кДж/моль, теплота испарения 355 кДж/моль. К. диамагнитен. Темп-pa Дебая аморфного К. 645 К. Прозрачен для ИК-излучения с длиной волны

=1-9 мкм, показатель преломления 3,42 (

=6 мкм). Диэлектрич. проницаемость К. разной степени чистоты 11 - 15. Теплопроводность образцов К. разной чистоты составляет 84-126 Вт/м*К (25 °С). Температурный коэф. линейного расширения поликристаллич. К. 3,82

10^-6 К^-1 (при 293-1273 К). Тв. по Моосу 7,0, по Бринеллю 2,35 ГПа/м²; модуль упругости поликристаллич. образца 162,7 ГПа.

К.- типичный полупроводник с шириной запрещённой зоны 1.21 эВ (при 0 К), 1,09 - 1,1 эВ (при 300 К). Концентрация собств. носителей заряда (электронов и дырок) при комнатной температуре 6,8*10¹⁰ см^-3, эфф. подвижность электронов и дырок 0,1350-0,1450 и 0,0480- 0,0500 м²/В*с соответственно. Электропроводность К. сильно зависит от примесей; уд. электрич. сопротивление чистого К. при комнатной температуре равно (2,3- 2,5)*10³ Ом*м.

При комнатной температуре К. химически мало активен; в соединениях проявляет степень окисления +4, реже +2 и др.

Особо чистый К., легированный спец. добавками,- осн. материал микроэлектроники, он используется для изготовления разл. полупроводниковых приборов - транзисторов, тиристоров силовых выпрямителей тока, солнечных фотоэлементов, полупроводниковых лазеров и т. д. Монокристаллы SiO₂ применяются в радиотехнике, Si0₂ используют в оптич. приборостроении (напр., изготовляют линзы и призмы для УФ-приборов). К. прозрачен для длинноволнового излучения, поэтому его применяют в ИК-оптике. К. применяют также в металлургии (для раскисления сталей, как легирующую добавку), он является составной частью мн. сплавов. Кремнийорганич. соединения входят в состав разл. смазочных масел, спец. резины и т. д. Искусств. радионуклиды К. короткоживущи; наиб. значение имеет

-радиоактивный ³¹Si ( =2,62 ч).

Знаете ли Вы, что cогласно релятивистской мифологии "гравитационное линзирование - это физическое явление, связанное с отклонением лучей света в поле тяжести. Гравитационные линзы обясняют образование кратных изображений одного и того же астрономического объекта (квазаров, галактик), когда на луч зрения от источника к наблюдателю попадает другая галактика или скопление галактик (собственно линза). В некоторых изображениях происходит усиление яркости оригинального источника." (Релятивисты приводят примеры искажения изображений галактик в качестве подтверждения ОТО - воздействия гравитации на свет)
При этом они забывают, что поле действия эффекта ОТО - это малые углы вблизи поверхности звезд, где на самом деле этот эффект не наблюдается (затменные двойные). Разница в шкалах явлений реального искажения изображений галактик и мифического отклонения вблизи звезд - 10¹¹ раз. Приведу аналогию. Можно говорить о воздействии поверхностного натяжения на форму капель, но нельзя серьезно говорить о силе поверхностного натяжения, как о причине океанских приливов.
Эфирная физика находит ответ на наблюдаемое явление искажения изображений галактик. Это результат нагрева эфира вблизи галактик, изменения его плотности и, следовательно, изменения скорости света на галактических расстояниях вследствие преломления света в эфире различной плотности. Подтверждением термической природы искажения изображений галактик является прямая связь этого искажения с радиоизлучением пространства, то есть эфира в этом месте, смещение спектра CMB (космическое микроволновое излучение) в данном направлении в высокочастотную область. Подробнее читайте в FAQ по эфирной физике.