Гамма-лазер - источник когерентного электромагн. излучения -диапазона.
Часто также используются сокращения "гразер" или "газер",
являющиеся аббревиатурой англ. фразы "Gamma Ray Amplification by Stimulated
Emission of Radiation" ("усиление g-излучения с помощью вынужденного
излучения"). Пока генерация вынужденного излучения в -диапазоне
не осуществлена. Получение генерации в рентгеновском и
-диапазонах открыло бы новые перспективы в рентгеновском структурном анализе, ядерной физике (воздействие на течение ядерных реакций) и др.
Идея гамма-лазера возникла в связи
с появлением оптич. лазера и открытием Мессбауэра эффекта. Открытие
безотдачного излучения -квантов
поставило вопрос о реализации вынужденного излучения системы возбуждённых ядер.
Впервые на эту возможность указал Л. А. Ривлин в 1961. В 1961-65 одновременно
и независимо несколько сов. и амер. групп физиков занимались разработкой схем гамма-лазеров на эффекте Мессбауэра. Для создания активной среды предполагалось использовать
радиохим. методы выделения долгоживущих ядерных изомеров с последующим введением
их в кристалл (кристаллич. матрицу) или выращиванием из этих ядер активных кристаллов.
Для возникновения нарастающей
лавины когерентных -квантов
необходимо, во-первых, чтобы в среде было больше возбуждённых ядер, чем невозбуждённых,
и, во-вторых, чтобы вероятность вынужденного излучения была выше вероятности
поглощения или рассеяния -квантов
ядрами среды. T. о., возникшее в среде -излучение
(в результате спонтанного распада отд. ядер) будет усиливаться, если концентрация
возбуждённых ядер превышает нек-рое пороговое значение N*, определяющееся
из условия равенства коэф.
резонансного вынужденного излучения (коэф. квантового усиления) и коэф.
нерезонансных потерь энергии:
Коэф. усиления
определяется ф-лой:
Здесь-
длина волны -излучения,
Г - спектральная ширина резонансного перехода ядра в кристалле,
- время жизни ядра в изомерном состоянии, -
коэф. конверсии внутренней,
- т. н. коэф. ветвления, учитывающий возможность перехода ядра на др. уровни,
лежащие выше нижнего рабочего, если генерация идёт с более высоких уровней,
чем первый возбуждённый (=1,
если генерация идёт с первого возбуждённого уровня ядра). Нерезонансные потери
в области энергий -квантов,
при к-рых вероятность эффекта Мессбауэра велика, определяются в осн. фотоэффектом,
т. е. процессом, при к-ром атом поглощает -квант
и испускает электрон. Для лёгких матриц 10
см-1. Полагая в (2)
, получим для N* след. выражение:
T. о., при естеств. ширине
линии критич.
плотность возбуждённых изомерных ядер составляет незначит. часть плотности атомов
в твёрдом теле (~1023 атом/см3). Из (3) видно, что немёссбауэровский
вариант -лазера
практически невозможен. Действительно, для ядер со ср. ат. номерами Z доплеровское
уширение линии 1013
с-1. Следовательно, согласно (3), пороговая плотность изомерных ядер
выходит за пределы плотности твёрдого тела уже при
= 10-7 с.
С ростом энергии -квантов
вероятность безотдачного излучения резко падает. Вероятность эффекта Мессбауэра
близка к 1 только при значениях энергии перехода 150
кэВ. Это ограничивает верх. значение величины энергии -квантов,
достижимое в -лазере
на ядерных переходах. Ниж. значение энергии радиац. переходов ядер, пригодных
для генерации
-излучения, определяется быстрым ростом сечения фотоэффекта с уменьшением энергии
-квантов. Поэтому
область пригодных энергий радиац. переходов ядер определяется неравенствами:
10 кэВ <<150
кэВ.
Предложенные модели -лазера
на ядерных переходах можно разделить на две группы: гамма-лазеры на короткоживущих
(10-5
с) и долгоживущих (10-5
с) изомерах. Граничное значение =10-5
с обусловлено тем, что при 10-5
с ширина мёссбауэровской линии -перехода
близка к естеств. ширине, когда
1. При 10-5
с ширина линии не зависит от времени жизни и равна приблизительно 105
Гц, следовательно, 1
(рис. 1). Последнее обстоятельство и определило осн. трудности первых моделей
-лазера на долгоживущих изомерах.
Рис. 1. Зависимость ширины гамма-линии мёссбауэровского излучения
от времени жизни изомера ;
пунктирная кривая соответствует естественной ширине линии, сплошная линия - результат экспериментов.
Неизбежные нарушения правильности
(идеальности) кристаллич. решётки, хим. и квадрупольные сдвиги приводят к уширению
линий -резонанса.
Кроме того, причиной уширения линии, неустранимой даже в идеальных кристаллах,
является магн. диполь-дипольное взаимодействие ядер, т. к. спины возбуждённых
и невозбуждённых ядер различны, а координаты ядер, высветившихся в процессе
генерации, случайны.
Значит. прогресс в разработке схем гамма-лазеров на долгоживущих изомерах был достигнут благодаря работам P. В. Хохлова
с сотрудниками, к-рые предложили применить методы ЯМР-спектроскопии (см. Ядерный
магнитный резонанс)твёрдых тел для сужения линии
-резонанса. Использование специально подобранных последовательностей радиочастотных
импульсов с частотой, соответствующей переходам между магн. подуровнями рабочих
уровней ядер, позволяет подавить эти
механизмы уширения линии. (Быстрая переориентация ядер радиочастотным полем
ослабляет диполь-дипольное взаимодействие, усредняя его величину, имеющую разл.
знак при разл. ориентации спинов. Одновременно ослабляется магн. взаимодействие
ядер с соседними атомами и взаимодействие электрич. квадрупольных моментов ядер
с внутрикристаллич. электрич. полями.) Аналогично подавляется т. н. химический сдвиг.
T. о., искусств. сушение линии -резонанса
позволяет приблизиться к созданию гамма-лазеров на долгоживущих изомерах.
В схемах на короткоживущих
изомерах (В. И. Гольданский, Ю. M. Каган) осн. проблема - механизм возбуждения
(накачка) ядер. Накачка должна быть интенсивной и селективной. Эффективно возбуждая
рабочие ядра, она должна минимально возмущать состояние решётки кристалла. Наиб.
близки к выполнению указанных требований след. виды возбуждения ядер: захват
тепловых нейтронов (см. Радиационный захват ),радиац. возбуждение (синхротронным
излучением, характеристическим излучением, рентгеновским излучением и др.),
а также возбуждение пучком заряж. частиц.
Исследовалась также возможность
совмещения преимуществ двух схем: некритичности параметров накачки в схеме на
долгоживущих изомерах и малости произведения
в схеме на короткоживущих изомерах. Это можно, напр., осуществить при наличии
двух близко лежащих ядерных уровней с разл. временами жизни и энергетич. разницей,
соответствующей энергии кванта оптич. или УФ-лазера, к-рый может стимулировать
переход с долгоживущего ядерного подуровня на короткоживущий. T. о., накачка
осуществляется на долгоживущем переходе, а генерация - на короткоживущем. Такая
схема аналогична традиц. лазерной трёхуровневой схеме с той разницей, что в
последней накачивается широкий короткоживущий уровень, а генерация идёт на более
долгоживущем узком переходе.
Рис. 2. Волновая картина в кристалле, характеризующая обращение в 0
электрического поля E в точках расположения атомов для брэгговски связанных мод.
Из-за низкой отражательной
способности материалов в -диапазоне
традиц. схема оптических резонаторов непригодна. Однако возможно использование
аномально низкого поглощения -излучения
по определённым направлениям в кристалле, для к-рых выполняется Брэгга -
Вулъфа условие (эффект Бормана). В этих направлениях происходит сильное
отражение от атомных плоскостей кристалла. В результате в кристалле распространяются
2 плоские волны под углом друг к другу и напряжённость интерференц. электрич.
поля в узлах решётки равна О (рис. 2). Поэтому -кванты
не теряют энергию на вырывание электронов и резко понижается вероятность поглощения
-квантов. Однако
одновременно с этим понижается и величина коэф. усиления (подавление неупругих
каналов ядерных реакций). Тем не менее использование ядерных переходов мультипольности
выше, чем E1, даёт результирующий выигрыш. Играет роль и форма кристалла.
В иглообразном кристалле возникают моды с устойчивой поперечной конфигурацией,
для которых поглощение мало, как и для плоских волн в условиях эффекта Бормана.
Излучение с боковых
граней очень мало (рис. 3), т. к. интенсивность поля для слабозатухающей моды
у граней кристалла незначительна.
Генерация когерентного
-излучения возможна
также при вынужденной аннигиляции электронно-позитронных пар, при взаимодействии
высокоэнергетич. встречных пучков заряж. частиц с пространственно периодич.
структурами (напр., распространение релятивистских пучков в кристаллах).
Выше в качестве механизма
генерации когерентного
-излучения рассматривался процесс вынужденного излучения. Известен и др. механизм,
а именно т. н. сверхизлучение, когда когерентность испущенных фотонов является
следствием корреляции состояний отдельных ядер - излучателей. Было показано,
что при радиац. распаде системы возбуждённых ядер режим сверхизлучения более
вероятен. Поскольку пороговое значение плотности возбуждённых ядер для режимов
сверхизлучения и вынужденного излучения определяется одним и тем же условием,
то осн. проблемы и пути их решения одинаковы для обоих подходов.
А. В. Андреев