Решёточная теплоёмкость - теплоёмкость твёрдого тела, обусловленная атомной подсистемой, в частности кристаллич. решёткой. Р. т. является частью теплоёмкости твёрдого тела. Термин «Р. т.» может относиться не только к идеальным кристаллам, но и к кристаллам с дефектами решётки или примесями, к некристаллич. твёрдым телам (аморфным веществам, стёклам).
Различие между Р. т. при пост, давлении (Ср)ц при
пост. объёме (Су) мало:
. При Т - ОК это является следствием теоремы Нернста (см. Третье
начало термодинамики), а при произвольных Т обусловлено малостью
тепловой энергии (kT)относительно энергии связи атомов в твёрдом
теле. Величина и температурная зависимость Р. т. С определяются энергетич.
спектром
колебании атомной подсистемы (см. Колебания кристаллической решётки:)
Здесь S - энтропия, F - Гельмгольца энергия. Величина dS/дТ вычисляется при пост. давлении либо при пост, объёме, в зависимости от того, какая из величин Ср или СV подлежит определению.
Спектр колебаний атомной подсистемы зависит от её хим. состава и структуры и для реальных твёрдых тел сложен. Теория Р. т. основана на упрощающих предположениях о виде колебат. спектра. При высоких Т, когда возбуждены все 3N степеней свободы твёрдого тела, содержащего N атомов, из теоремы о равнораспределении энергии следует, что на каждую колебат. степень свободы приходится энергия kТ, и потому С = 3Nk. Этот результат соответствует эксперим. данным для простых кристаллич. решёток (элементы и простые соединения, см. Дюлонга и Пти закон ).Для сложных соединений предельное значение С = 3Nk с повышением Т обычно не достигается, т. к. раньше происходит их плавление или разложение.
При понижении температуры Р. т. убывает, благодаря «вымораживанию» колебаний
с энергиями
Простейшей моделью, описывающей этот процесс, является модель Эйнштейна,
в к-рой всем степеням свободы твёрдого тела сопоставляются одномодовые
гармонич. осцилляторы с частотой.
В этом случае
Величину называют Эйнштейна температурой.
В области низких Т играют роль лишь колебания с малыми энергиями
, т. е. с малыми частотами
. Это звуковые колебания, длина волны к-рых заметно превышает постоянную
решётки а при условии,
где и - скорость звука. Число длинноволновых звуковых колебаний
в интервале частот dw в объёме V трёхмерного кристалла равно
где
-среднее по различным кристаллографич. направлениям, g - плотность распределения
колебаний но частотам. С учётом (3) из (1) следует:
Р. т., пропорциональная Т3, наблюдается при низких
темп-pax для многих твёрдых тел (см. Девая закон теплоёмкости). Этот
закон фактически начинает выполняться при
для простых решёток и при значительно меньших Т для тел со сложной
решёткой. Интерполяция между пределами низких и высоких температур в кристаллах
даётся Дебая теорией твёрдого тела. Она основана на предположении,
что частоты распределены по закону (3) на всём протяжении спектра, к-рый
обрывается при нек-рой максимальной дебаевской частоте.
При этом соотношение (1) даёт:
где
- Дебая температура, D(x)=
функция Дебая (рис. 1). Критерием применяемости этой теории для Р. т. является
соотношение Т и:
Р. т. можно считать постоянной при
и пропорциональной Т3 при
. Ф-ла (5) передаёт ход С(Т)лишь для простых решёток; к телам с
более сложной структурой она неприменима, т. к. их спектр колебаний сложен.
Рис. 1. Зависимость решёточной теплоёмкости от температуры в модели Дебая.
В кристаллах «слоистого» или «цепочечного» типа (квазиодномерные соединения и квазидвумерные соединения)спектр звуковых колебаний характеризуется не одной, а неск., различными по порядку величины. Закон Т3 для Р. т. имеет при этом место лишь при Т, малых по сравнению с наименьшей из дебаевских температур, в промежуточных же областях Т возникают др. законы. Если обозначить через отношение энергии связи между слоями к энергии связи между атомами в слоях, то закон Т3 для Р. т. будет иметь место лишь при , где - наибольшая из. В области имеют место зависимости: для слоистых и для цепочечных кристаллов. При имеют место зависимости и
Влияние дефектов. Величина и температурная зависимость Р. т. кристаллов зависят от наличия дефектов и примесей. К увеличению низкотемпературной Р. т. при могут привести резонансные квазилокальные колеоания с частотами, к-рые возникают благодаря введению тяжёлых примесей или дефектов. Локальные ВЧ-колебания слабо влияют на Р. т. Заметный вклад в низкотемпературную Р. т. могут давать также т. н. ориентац. дефекты (дипольные центры) и нецентральные ионы.
Рис. 2. Зависимость С(Т) аморфного кварца (а = SiO2). Рост в зависимости С(Т) левее минимума обусловлен линейной зависимостью теплоёмкости от Т.
Решёточная теплоёмкость некристаллических веществ (аморфных или стеклообразных твёрдых тел, полимеров, ионных суперпроводников) при низких Т кардинально отличается от Р. т. кристаллов. При Т < 1 К Р. т. этих веществ существенно превышает Р. т. кристаллов и зависит от Т приблизительно линейно. При Т ~ 10 К в зависимости С(Т)появляется максимум, свидетельствующий об избыточной (по сравнению с дебаевской) теплоёмкости (рис. 2). Такое поведение и величина Р. т. слабо зависят от хим. состава и типа проводимости некристаллич. веществ, являясь в этом смысле универсальными. Так, зависимость наблюдается не только в диэлектрических и полупроводниковых стёклах ,но и в металлических стёклах. В последнем случае она экспериментально отделяется от электронной теплоёмкости по наблюдению ц сверхпрово-дящем состоянии, когда электронная теплоёмкость пренебрежимо мала.
Линейная зависимость от температуры
объясняется моделью двухуровневых систем, отвечающих туннельным состояниям
атомов в двухъямных потенциалах, существование к-рых связано с неупорядоченностью
системы (см. Неупорядоченные системы ).Постулируется равномерное
распределение энергий с плотностью.
Это приводит к соотношению
Предполагается, что верхняя граница спектра kT. Тепловое возбуждение двухуровневых систем происходит за время релаксации, величина к-рого экспоненциально зависит от параметров барьера в двухъямном потенциале. Разброс значений этих параметров в некристаллич. веществе приводит к появлению экспоненциально широкого спектра времен релаксации. В результате возникает логарифмически слабая зависимость измеряемой Р. т. от времени эксперимента.
В. Г. Карпов